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和*處理器一樣，顯示卡的核心芯片，也是在硅晶片上制成的。采用更高的制造工藝，對于顯示核心頻率和顯示卡集成度的提高都是至關(guān)重要的。而且重要的是制程工藝的提高可以有效的降低顯卡芯片的生產(chǎn)成本。
微電子技術(shù)的發(fā)展與進步，主要是靠工藝技術(shù)的不斷改進，使得器件的特征尺寸不斷縮小，從而集成度不斷提高，功耗降低，器件性能得到提高。芯片制造工藝在1995年以后，從0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米、0.09微米一直發(fā)展到當前的0.08微米。

顯存時鐘周期就是顯存時鐘脈沖的重復周期，它是作為衡量顯存速度的重要指標。顯存速度越快，單位時間交換的數(shù)據(jù)量也就越大，在同等情況下顯卡性能將會得到明顯提升。顯存的時鐘周期一般以ns(納秒)為單位，工作頻率以MHz為單位。顯存時鐘周期跟工作頻率一一對應，它們之間的關(guān)系為:工作頻率=1÷時鐘周期×1000。那么顯存頻率為166MHz，那么它的時鐘周期為1÷166×1000=6ns。
對于DDR SDRAM或者DDR2、DDR3顯存來說，描述其工作頻率時用的是等效輸出頻率。因為能在時鐘周期的上升沿和下降沿都能傳送數(shù)據(jù)，所以在工作頻率和數(shù)據(jù)位寬度相同的情況下，顯存帶寬是SDRAM的兩倍。換句話說，在顯存時鐘周期相同的情況下，DDRSDRAM顯存的等效輸出頻率是SDRAM顯存的兩倍。

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