鉿，金屬Hf，原子序數(shù)72，原子量178.49，是一種帶光澤的銀灰色的過渡金屬。鉿有6種天然穩(wěn)定同位素：鉿174、176、177、178、179、180。鉿不與稀鹽酸、稀硫酸和強(qiáng)堿溶液作用，但可溶于氫氟酸和王水。元素名來(lái)源于哥本哈根城的拉丁文名稱。1925年瑞典化學(xué)家赫維西和荷蘭物理學(xué)家科斯特用含氟絡(luò)鹽分級(jí)結(jié)晶的方法得到純的鉿鹽，并用金屬鈉還原，得到純的金屬鉿。鉿在地殼中的含量為0.00045%，在自然界中常與鋯伴生。
鉿靶，鋯靶，鈦靶

鋯、鉿
1923年，瑞典化學(xué)家赫維西和荷蘭物理學(xué)家D·科斯特在挪威和格陵蘭所產(chǎn)的鋯石中發(fā)現(xiàn)鉿元素，并命名為hafnium，它來(lái)源于哥本哈根城的拉丁名稱Hafnia。1925年，赫維西和科斯特用含氟絡(luò)鹽分級(jí)結(jié)晶的方法分離掉鋯、鈦，得到純的鉿鹽；并用金屬鈉還原鉿鹽，得到純的金屬鉿。?[1]??赫維西制得了幾毫克純鉿的樣品。?[2]?
由于鉿*發(fā)射電子而很有用處(如用作白熾燈的燈絲)。用作X射線管的陰極，鉿和鎢或鉬的合金用作高壓放電管的電極。常用作X射線的陰極和鎢絲制造工業(yè)。純鉿具有可塑性、易加工、耐高溫抗腐蝕，是原子能工業(yè)重要材料。鉿的熱中子捕獲截面大，是較理想的中子吸收體，可作原子反應(yīng)堆的控制棒和保護(hù)裝置。鉿粉可作火箭的推進(jìn)器。在電器工業(yè)上可制造X射線管的陰極。鉿的合金可作火箭噴嘴和滑翔式重返大氣層的*行器的*保護(hù)層，Hf-Ta合金可制造工具鋼及電阻材料。在耐熱合金中鉿用作添加元素，例如鎢、鉬、鉭的合金中有的添加鉿。HfC由于硬度和熔點(diǎn)高，可作硬質(zhì)合金添加劑。4TaCHfC的熔點(diǎn)約為4215℃，為已知的熔點(diǎn)較高的化合物。鉿可作為很多充氣系統(tǒng)的吸氣劑。鉿吸氣劑可除去系統(tǒng)中存在的氧、氮等不需要?dú)怏w。鉿常作為液壓油的一種添加劑，防止在高危作業(yè)時(shí)候液壓油的揮發(fā)，具有很強(qiáng)的抗揮發(fā)性，這個(gè)特性的話，所以一般用于工業(yè)液壓油。醫(yī)學(xué)液壓油。
都膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡(jiǎn)單說(shuō)的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、**、防腐的合金膜等）。
中文名
靶材
2Mg+HfCl4─→2MgCl2+Hf
德博爾－阿克爾法即碘化法，用此法提純海綿狀鉿，得到可延展的金屬鉿。?[1]?
5.鉿的冶煉，與鋯基本相同：
第一步為礦石的分解，有三種方法：鋯石氯化得(Zr，Hf)Cl。鋯石的堿熔。鋯石與NaOH在600左右熔融，有90%以上的(Zr，Hf)O轉(zhuǎn)變?yōu)镹a(Zr，Hf)O，其中的SiO變成NaSiO，用水溶除去。Na(Zr，Hf)O用HNO溶解后可作鋯鉿分離的原液，但因含有SiO膠體，給溶劑萃取分離造成困難。用KSiF燒結(jié)，水浸后得K(Zr，Hf)F溶液。溶液可以通過分步結(jié)晶分離鋯鉿；
第二步為鋯鉿分離，可用鹽酸-MIBK(甲基異丁基酮)系統(tǒng)和HNO-TBP(磷酸三丁酯)系統(tǒng)的溶劑萃取分離方法。利用高壓下(**20大氣壓)HfCl和ZrCl熔體蒸氣壓的差異而進(jìn)行多級(jí)分餾的技術(shù)早有研究，可省去二次氯化過程，降低成本。但由于(Zr，Hf)Cl和HCl的腐蝕問題，既不易找到合適的分餾柱材質(zhì)，又會(huì)使ZrCl和HfCl質(zhì)量降低，增加提純費(fèi)用，70年代仍停留在中間廠試驗(yàn)階段；
鉿元素也用于較新的intel45納米處理器。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性?(Manufacturability)，且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作柵較電介質(zhì)的材料。當(dāng)英特爾導(dǎo)入65納米制造工藝時(shí)，雖已全力將二氧化硅柵較電介質(zhì)厚度降低至1.2納米，相當(dāng)于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時(shí)，耗電和散熱難度亦會(huì)同時(shí)增加，產(chǎn)生電流浪費(fèi)和不必要的熱能，因此若繼續(xù)采用時(shí)下材料，進(jìn)一步減少厚度，柵較電介質(zhì)的漏電情況勢(shì)將會(huì)明顯攀升，令縮小晶體管技術(shù)遭遇極限。為解決此關(guān)鍵問題，英特爾正規(guī)劃改用較厚的高K材料(鉿元素為基礎(chǔ)的物質(zhì)）作為柵較電介質(zhì)，取代二氧化硅，此舉也成功使漏電量降低10倍以上。另與上一代65納米技術(shù)相較，英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍，得以增加處理器的晶體管總數(shù)或縮小處理器體積，此外，晶體管開關(guān)動(dòng)作所需電力更低，耗電量減少近30%，內(nèi)部連接線?(interconnects)?采用銅線搭配低k電介質(zhì)，順利提升效能并降低耗電量，開關(guān)動(dòng)作速度約加快?20%。?[17]?
鉿為銀灰色的金屬，有金屬光澤；金屬鉿有兩種變體：α鉿為六方密堆積變體(1750℃)，其轉(zhuǎn)變溫度比鋯高。金屬鉿在高溫下有同素異形變體存在。金屬鉿有較高的中子吸收截面，可用作反應(yīng)堆的控制材料。?[1]?
晶體結(jié)構(gòu)有兩種：在1300℃以下時(shí)，為六方密堆積（α-式）；在1300℃以上時(shí)，為體心立方（β-式）。具有塑性的金屬，當(dāng)有雜質(zhì)存在時(shí)質(zhì)變硬而脆。空氣中穩(wěn)定，灼燒時(shí)僅在表面上發(fā)暗。細(xì)絲可用火柴的火焰點(diǎn)燃。性質(zhì)似鋯。不和水、稀酸或強(qiáng)堿作用，但易溶解在王水和氫氟酸中。在化合物中主要呈+4價(jià)。鉿合金（Ta4HfC5）是已知熔點(diǎn)較高的物質(zhì)（約4215℃）。?[2]?
化學(xué)性質(zhì)
編輯
鉿的化學(xué)性質(zhì)與鋯十分相似，具有良好的抗腐蝕性能，不易受一般酸堿水溶液的侵蝕；易溶于氫氟酸而形成氟合配合物。高溫下，鉿也可以與氧、氮等氣體直接化合，形成氧化物和氮化物。
鉿在化合物中常呈?+4價(jià)。主要的化合物是氧化鉿HfO2。氧化鉿有三種不同的變體：將鉿的硫酸鹽和氯氧化物持續(xù)煅燒所得的氧化鉿是單斜變體；在400℃左右加熱鉿的氫氧化物所得的氧化鉿是四方變體；若在1000℃以上煅燒，可得立方變體。另一個(gè)化合物是四氯化鉿，它是制備金屬鉿的原料，可由氯氣作用于氧化鉿和碳的混合物制取。四氯化鉿與水接觸，立即水解成十分穩(wěn)定的HfO(4H2O)2+離子。HfO2+離子存在于鉿的許多化合物中，在鹽酸酸化的四氯化鉿溶液中可結(jié)晶出針狀的水合氯氧化鉿HfOCl2·8H2O晶體。
4價(jià)鉿還*與氟化物形成組成為?K2HfF6、K3HfF7、(NH4)2HfF6、(NH4)3HfF7的配合物。這些配合物曾用于鋯、鉿分離。[1]?
磁控濺射鍍膜靶材：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材?，氮化物陶瓷濺射靶材?，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材?，硅化物陶瓷濺射靶材?，硫化物陶瓷濺射靶材?，碲化物陶瓷濺射靶材?，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。
高純高密度濺射靶材有：
濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）
鉿靶··鋯靶

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1）鈦、鈦板，鈦絲、鈦棒、鈦籃、鈦包銅、鈦管、鈦冷卻管、鈦螺絲等。
2）鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯盤管，鋯冷卻管，鋯絲等。
3）結(jié)晶鉿，高純鉿，海綿鉿，鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。
4）金屬鉭，鉭板，鉭絲，鉭棒，鉭靶等。
5）金屬鈮，鈮錠，鈮板，鈮棒，鈮板，鈮粉等。
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