由于鉿*發射電子而很有用處(如用作白熾燈的燈絲)。用作X射線管的陰極，鉿和鎢或鉬的合金用作高壓放電管的電極。常用作X射線的陰極和鎢絲制造工業。純鉿具有可塑性、易加工、耐高溫抗腐蝕，是原子能工業重要材料。鉿的熱中子捕獲截面大，是較理想的中子吸收體，可作原子反應堆的控制棒和保護裝置。鉿粉可作火箭的推進器。在電器工業上可制造X射線管的陰極。鉿的合金可作火箭噴嘴和滑翔式重返大氣層的*行器的*保護層，Hf-Ta合金可制造工具鋼及電阻材料。在耐熱合金中鉿用作添加元素，例如鎢、鉬、鉭的合金中有的添加鉿。HfC由于硬度和熔點高，可作硬質合金添加劑。4TaCHfC的熔點約為4215℃，為已知的熔點較高的化合物。鉿可作為很多充氣系統的吸氣劑。鉿吸氣劑可除去系統中存在的氧、氮等不需要氣體。鉿常作為液壓油的一種添加劑，防止在高危作業時候液壓油的揮發，具有很強的抗揮發性，這個特性的話，所以一般用于工業液壓油。醫學液壓油。

鉿元素也用于較新的intel45納米處理器。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性?(Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善晶體管效能，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作柵較電介質的材料。當英特爾導入65納米制造工藝時，雖已全力將二氧化硅柵較電介質厚度降低至1.2納米，相當于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時，耗電和散熱難度亦會同時增加，產生電流浪費和不必要的熱能，因此若繼續采用時下材料，進一步減少厚度，柵較電介質的漏電情況勢將會明顯攀升，令縮小晶體管技術遭遇極限。為解決此關鍵問題，英特爾正規劃改用較厚的高K材料(鉿元素為基礎的物質）作為柵較電介質，取代二氧化硅，此舉也成功使漏電量降低10倍以上。另與上一代65納米技術相較，英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍，得以增加處理器的晶體管總數或縮小處理器體積，此外，晶體管開關動作所需電力更低，耗電量減少近30%，內部連接線?(interconnects)?采用銅線搭配低k電介質，順利提升效能并降低耗電量，開關動作速度約加快?20%。?[17]?

電子排布????72

外圍原子序數
5d26s2
核內質子數
72
核外電子數
72
核電核數
72
所屬周期
6
所屬族數
IVB
核外電子排布
2，8，18，32，10，2
核電荷數
72
電子層
K-L-M-N-O-P
氧化態
Main?Hf+4?Other?Hf+1，?Hf+2，?Hf+3
晶胞參數：a?=b=?319.64?pm，c?=?505.11?pm，α?=β=?90°，γ?=?120°
電離能(kJ?/mol)
M?-?M+?642
M+?-?M2+?1440
M2+?-?M3+?2250
M3+?-?M4+?3216
原子半徑：1.59

常見化合物
二氧化鉿：名稱?二氧化鉿；hafnium?dioxide；分子式：HfO2?[4]??；性質：白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結構。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點2780～2920K。沸點5400K。熱膨脹系數5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。?[5]??原子能級HfO是制造原子能級ZrO時同時得到的產品。從二次氯化起，提純﹑還原﹑真空蒸餾等過程同鋯的工藝流程幾乎*一樣。

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深圳市華宇金屬材料有限公司位于深圳市的中部工業發達區龍華。公司前身為深圳市新興金屬科技有限公司，創建于2005年，長期**供應有色金屬的鈦，鋯，鉿，鈮，鉭等的原材料及產品：
1）鈦、鈦板，鈦絲、鈦棒、鈦籃、鈦包銅、鈦管、鈦冷卻管、鈦螺絲等。
2）鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯盤管，鋯冷卻管，鋯絲等。
3）結晶鉿，高純鉿，海綿鉿，鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。
4）金屬鉭，鉭板，鉭絲，鉭棒，鉭靶等。
5）金屬鈮，鈮錠，鈮板，鈮棒，鈮板，鈮粉等。
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