砷化鎵(GaAs)

1,物理性質：

分子量:144.6446

CAS號:1303-00-0

熔點:1238℃

密度:5.37g/cm3

外觀:黑灰色固體

晶格常數：5.65×10-10m

禁帶寬度：1.4電子伏

2，合成工藝：高純的砷與高純鎵真空熔煉，后續處理后再進行區熔；

3，純度：6N(99.9999%)

3，檢測：GDMS（所有的雜質元素低于1ppm),XRD;

4, 包裝：三層真空包裝或充氬氣保護；

5，服務：提供免費樣品，MSDS及實用的防護措施；

6，應用：集成電路襯底，紅外探測器，γ光子探測器，砷化鎵太陽能電池

公司12年來共研制開發出40余項半導體化合物材料：
碲系化合物：
碲化銅(CuTe)，碲化銦( InTe)，碲化鋅(ZnTe)，P/N三碲化二鉍(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)...
硫系化合物：
三硫化二鎵(Ga2S3)，二硫化鍺(GeS2)，硫化鋅(ZnS)，硫化錫(SnS)，三硫化二銦(In2S3)，硫化亞銅（Cu2S）...
無氧硒及硒系化合物:
三硒化二鎵(Ga2Se3)，硒化亞銅(Cu2Se)，三硒化二銦(In2Se3)，硒化鋅(ZnSe)，硒化鉍(Bi2Se3)...
氯系化合物：
無水三氯化銦(InCl3)，無水三氯化鎵(GaCl3)，無水氯化亞銦(InCl)...
氧系化合物：
4N-5N三氧化二鎵(Ga2O3)，4N-5N氧化鋅(ZnO)，5N-6N 三氧化二銦(In2O3)，5N 三氧化二鉍(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二銻（Sb2O3）...
銅銦鎵硒（CIGS）系列材料.
靶材：氧化鋅靶，氧化鋅鋁靶，銅銦鎵硒靶，三硒化二銦靶，硒化亞銅靶材...
公司現有工藝及設備：
1，電解裝置4套：回收電解銅，電解鉛鋅礦的陽極泥；高純銦的電解，特別是除去里面的雜質錫。
2，真空蒸餾裝置12套：根據雜質不同的飽和蒸氣壓，采用真空蒸餾的方法將其去除。
3，區域熔煉爐10套。
4，單間提拉爐12套。
5，CVD 化學氣相沉積設備3套。
6，PVD裝置2套。
7，真空熔煉爐15套。
8，THM 移動式加熱設備。
9，氯化爐3套（高純銻**），氫化還原爐3套。
公司現有的檢測設備：
1，ICP-MS;ICP-OES (適用范圍：檢測<99.999% 純度的產品）
2，XRD （化合物的相結構分析）
3，激光粒度分析儀（粉末粒徑）
4，對于99.9999%以上的產品，提供GDMS 外檢指標（送EAG外檢）
研發、生產、銷售：半導體材料、光電材料，貨物技術的進出口業務