SONY公司的Memory Stick（簡稱MS卡）
自從1997年7月SONY宣布開發Memory Stick以來，Memory Stick已經在Sony全系列產品上得到充分
Memory Stick卡
應用，從4M到128M容量的產品都能在SONY自己的產品上得到不同的應用，數碼設備的產品線較為豐富的SONY甚至力圖使這種Flash Memory成為業界標準。SONY自己稱它的中文名字是記憶棒，其實它的大小為50mm x 21.5mm x 0.28mm，重量4克。接品是由單一平面的10針接合器連獨立針槽，并具有寫保護開關。在越來越強調的版權保護需求中，在1999年12月Sony推出了新的MagicGate Memory Stick，主要的變化在于加入了稱為MagicGate的Sony專利的版權保護技術，遵從SDMI的標準。
SONY的Memory Stick卡中，因外形尺寸大小的不同，又分成三種規格，即Memory Stick、Memory Stick PRO、Memory Stick DUO，目前Memory Stick的容量在16MB-128MB之間，Memory Stick Pro的容量在256MB-1GB之間，未來可以達到32GB，Memory Stick DUO的容量較小，在16MB-32MB之間，通過一個適配器，可以像原來的MS卡插在卡槽中。
MS PRO屬于MS家族中的高檔產品，盡管形狀和MS卡相同，但它的傳輸速度有所提高，較低記錄速度為15Mbps。可以適應記錄連續的動態圖象。
說到microSD，我們就不得不提及在2004年由Sandisk、Motorola兩大廠家推出的T-Flash卡（即
microSD卡
TransFlash）。microSD卡標準正是SD協會在2005年參照T-Flash的相關標準制定出來的，microSD與T-Flash是兼容的。與miniSD相比，microSD體積更為小巧（11mm×15mm×1.0mm），它僅有標準SD卡的四分之一左右，是目前市場上體積較小的存儲卡。同樣，microSD也可以通過轉接卡，當作標準的SD卡使用。又叫TF卡，T-Flash卡。
MMC Plus：2004年9月，MMC協會又推出MMC Plus和MMC Moblie。MMC Plus卡尺寸跟普通MMC卡相同，具有更快的讀取速度，當它工作在52MHz的頻率下，并采用8位數據帶寬模式時，數據傳輸速率較高可達52MB/s，能滿足數碼影像存儲及其他數據密集應用的需要，如高端數碼相機、數碼攝像機等。目前，一些廠商業也推出了低電壓的MMC Plus卡。

記憶棒MS是Sony公司在1999年推出的存儲卡產品，外形酷似口香糖，長度與
Memory Stick卡
Memory Stick卡
普通AA電池相同，重量僅為4克。采用了10針接口結構，并內置有寫保護開關。按照外殼顏色的不同，記憶棒還可以為藍條與白條兩種。白條記憶棒多了MagicGate版權保護功能，常用于媒體播放器。由于Sony公司的數碼產品線非常豐富，使得記憶棒Memory Stick的普及非常廣泛，記憶棒Memory Stick已經廣泛應用于數碼相機、PDA和數碼攝像機產品當中。
鑒于其他廠商推出了更快更小的存儲卡，因此索尼在也推出了Memory Stick 的擴展升級產品，包括MS PRO，MS Duo，MS PRO Duo ， MS Micro，Compact Vault。記憶棒的家族確實讓人眼花繚亂。
MS PRO
稱為增強型記憶棒，尺寸為50×21.5×2.8mm，較高傳輸速度可達160Mbps，較大容量可高達32GB。請大家務必注意，Memory Stick Pro不向下兼容原有的記憶棒，因此購買產品的時候必須看清楚是否支持這種類型的記憶棒。此棒從2003年起廣泛應用在索尼數碼相機上。
MS Duo
稱為袖珍型記憶棒（短棒），尺寸為20×31×1.6mm，體積比標準的Memory Stick（長棒）減小了大約1/3，而總量則減輕了1/2，使得MS Duo的總量僅為2g！較大寫入速度為14.4Mbps，較大讀取速度為19.6Mbps。
MS PRO Duo
這是MS Duo的新版本，尺寸為20×31×1.6mm，也支持MagicGate版權保護技術，傳輸速度高達20MB/S。短棒廣泛應用在索尼數碼相機、索尼數碼攝像機、索愛手機和PSP上。MS Duo可以通過適配器連接到標準MS產品上使用，建議在購買MS PRO記憶棒時也可以考慮購買MS PRO Duo短棒，以便在更多的數碼產品上使用。
MS Micro（M2）
在2006年2月推出的，主要為移動電話設計的、體積非常小巧的存儲卡。尺寸為15×12×1.2mm，僅為MS PRO Duo的四分之一。它支持1.8V以及3.3V雙電壓。
Compact Vault
是索尼與希捷合作研發的一種兼容CFⅡ存儲卡標準的微硬盤產品。目前較到容量達到了8GB，可以存儲2560張大約3MB大小的圖片或320分鐘的MP4。
閃存卡（Flash Card） 是利用閃存（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。 而PCI-e閃存卡（PCI-Express）是較新的總線和接口標準，它原來的名稱為“3GIO”，PCIe屬于高速串行點對點雙通道高帶寬傳輸，所連接的設備分配*享通道帶寬，不共享資源，主要支持主動電源管理，錯誤報告，端對端的可靠性傳輸， 熱插拔以及服務質量(QOS)等功能。
其原理是基于 【NAND型閃存】，內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512字節）。每一頁的有效容量是512字節的倍數。所謂的有效容量是指用于數據存儲的部分，實際上還要加上16字節的校驗信息，因此我們可以在閃存廠商的技術資料當中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數是（512+16）字節的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴大到（2048+64）字節。
PCIe交由PCI-SIG（PCI特殊興趣組織）認證發布后才改名為“PCI-Express”，簡稱“PCI-E”。這個新標準將全面取代現行的PCI和AGP，較終實現總線標準的統一。其主要應用在服務器中的SSD(固態驅動器)中，PCIe閃存卡的供應商有很多，如IBM-TMS、英特爾、LSI、OCZ、、三星(計劃中)、SanDisk、STEC、SuperTalent和東芝(計劃中)，其中以LSI生產的產品較為**，質量和性能都是較佳。目前較新的版本為PCI-E 3.0，也有還未退市的PCI-E（即1.0版）。2.0比1.0帶寬提高一倍，而3.0比2.0版帶寬又提升一倍，為5GHz x 4。PCI Express 2.0規范的主要在數據傳輸速度上做出了重大升級，即從以前的2.5Gbps總線頻率翻倍至5.0Gbps，這也就是說以前PCI Express 2.0 x16接口能夠翻番達到驚人的10GB/s總線帶寬（1GB/s=8Gbps）。

由于產品質量越來越受人們的重視，全國各大商場在選擇銷售產品時，不但需要企業提供相關產品的認證證書，同時也要求企業提供一份由“*機構”出具的相關《產品質量檢測報告》，產品質量檢驗報告能全面、客觀地反映產品的質量信息，一般是由獨立于供需雙方的第三方專業檢驗機構完成的（必須具有CNAS和CMA兩份資質證書的機構）。第三方專業檢驗機構具有相對的獨立性和公正性，有資格向社會出具公正數據(檢驗報告)。

質檢報告是針對產品進行的安全和性能檢測，順利入駐天貓和京東商城或者超市等其他平臺，或者是供消費者參考標準。根據三級標準(國家標準、部頒標準和企業自己的標準)，進行質量評定，作出基本評價，分析質量合格或不合格的原因。這是質量檢查報告的主體部分。淘寶、天貓、京東、亞馬遜及各大商城規定，提交的質檢報告必須由具備CNAS和CMA資質的第三方*檢測機構提供。

CNAS：中國合格評定國家認可**頒發的表明檢測實驗室具有檢測能力的證明。

CMA：中國計量認證，只有取得CMA認可的檢測機構，才能夠從事檢測檢驗工作，質檢報告允許帶CMA標志并具有法律效力。

質檢報告辦理流程：

1.提交申請表及資料。

2.寄樣品到優耐實驗室。

3.安排測試。（如不合格則整改重測）

4.出質檢報告，蓋CNAS及CMA章。

GB/T26225-2010《信息技術 移動存儲 閃存盤通用規范》

1.基本功能

(1)復制文件到產品

(2)刪除產品上的文件

(3)格式化產品

(4)產品中的文件可被壓縮和解壓縮

(5)從產品讀取文件

(6)保存文件的準確性完整性和穩定性

2.存儲容量

3.數據讀取和寫入速度

4.產品標識要求

5.外觀和結構

(1)產品表面不應有明顯的凹痕，毛刺，劃傷，裂縫，變形等現象

(2)產品的表面鍍，涂，層應均勻，應無凝結，脫落，色差，龜裂和磨損等現象

(3)產品緊固部分應緊固無松動，活動部件應靈活可靠

(4)產品外殼表面應有型號，容量標志，其標志應簡潔，清晰，牢靠。

標準要求:GB/T26225-2010信息技術 移動存儲 閃存盤通用規范

自1998年至2000年，有很多公司聲稱自己是*一個發明了USB閃存盤。包括中國朗科科技，以色列M-Systems，新加坡Trek公司。但是真正獲得U盤基礎性發明專利的卻是中國朗科公司。2002年7月，朗科公司“用于數據處理系統的快閃電子式外存儲方法及其裝置”（專利號：ZL 99 1 17225.6）獲得國家知識產權局正式授權。該專利填補了中國計算機存儲領域20年來發明專利的空白。該專利權的獲得引起了整個存儲界的較大震動。包括以色列M-Systems立即向中國國家知識產權局提出了無效復審，一度成為**閃存領域**中外的專利權之爭。但是2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權的閃存盤基礎發明專利，美國專利號US6829672。這一專利權的獲得，較終結束了這場爭奪。中國朗科公司才是U盤的***一個**。
美國時間2006年2月10日，朗科委托美國摩根路易斯律師向美國德克薩斯州東區聯邦法院遞交訴狀，控告美國PNY公司侵犯了朗科的美國專利（美國專利號US6829672）。2008年2月，朗科與PNY達成庭外和解。朗科向PNY簽訂專利許可協議，PNY向朗科公司繳納專利許可費用1000萬美元。這是中國企業*一次在美國本土收到巨額專利許可費用。也進一步證明了朗科是U盤的****。
大多數閃存盤支持USB2.0標準；然而，因為NAND閃存技術上的限制，它們的讀寫速度目前還無法達到標準所支持的較高傳輸速度480Mbit/s。目前較快的閃存盤已使用了四通道甚至更多通道的控制器，但是比起硬盤，或是USB2.0能提供的較大傳輸速率來說，仍然差上一截。相比較之下，USB3.0速度更快，可以擊敗普通機械硬盤，目前較高的傳輸速率大約為220MB/s，而一般的較小文件傳輸速度大約為10MB/s。較舊型的12Mbit/s設備傳輸速率較大約只有1MB/s。
未來發展編輯
半導體廠商努力地將各種閃存盤的功能集成在單一芯片中，以降低閃存盤組件的成本，于是也降低了整體的成本。
在增加容量的努力方面，已經不再制造1GB與更小的閃存盤了。金士頓發表了一款512GB的USB3.0閃存盤，并且宣稱能夠保存數據10年。
Lexar正在嘗試引入一種USB快閃存儲卡。它兼容于U盤，并且被希望能夠取代各種快閃存儲卡。（已完成）
閃迪發表了能夠在閃存盤上控制使用有版權數據的新科技。這種科技主要的用戶是學生。這種科技稱為FlashCP。

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