模擬集成電路設計流程
　　1、功能設計階段

　　設計人員產品的應用場合，設定一些諸如功能、操作速度、接口規格、環境溫度及消耗功率等規格，以做為將來電路設計時的依據。更可進一步規劃軟件模塊及硬件模塊該如何劃分，哪些功能該整合于SOC內，哪些功能可以設計在電路板上。

　　2、設計描述和行為級驗證

　　供能設計完成后，可以依據功能將SOC劃分為若干功能模塊，并決定實現這些功能將要使用的IP核。此階段將接影響了SOC內部的架構及各模塊間互動的訊號，及未來產品的可靠性。

　　決定模塊之后，可以用VHDL或Verilog等硬件描述語言實現各模塊的設計。接著，利用VHDL或Verilog的電路仿真器，對設計進行功能驗證（functionsimulaTIon，或行為驗證behavioralsimulaTIon）。

　　注意，這種功能仿真沒有考慮電路實際的延遲，但無法獲得精確的結果。

Broadcom ASSR-601J 是一款高壓固態繼電器，專為高壓工業應用而設計。ASSR-601J 由光耦合到高壓輸出檢測器電路的 AlGaAs 紅外發光二極管 (LED) 輸入級構成。該檢測器由一個高速光伏二極管陣列和驅動電路組成，用于接通/斷開兩個分立的高壓 MOSFET。繼電器以較小 10 mA 的通過輸入 LED 的輸入電流接通（觸點閉合）。繼電器在輸入電壓為 0.4 V 或更低時關閉（觸點打開）。ASSR-601J 利用 Broadcom 的電流隔離光耦合器技術，提供增強的絕緣和可靠性，可在高溫工業應用中提供安全的信號隔離。

Broadcom 立足于 50 年的創新、協作和**的工程技術能力，是一家多元化的**半導體行業**者。 Broadcom 范圍廣泛的產品組合服務于四個主要終端市場的眾多應用：有線基礎設施、無線通信、企業級存儲以及工業和其它市場。 我們的產品在這些終端市場中的應用包括：數據中心網絡、網絡家居、寬帶接入、電信設備、智能手機和基站、數據中心服務器和存儲器、工廠自動化、替代能源系統以及顯示器。

Broadcom 的 AFBR-2529SIZ 接收器由帶有集成光電二極管的 IC 組成，可提供 TTL 邏輯系列兼容輸出。在長達 50 m 距離內、采用長度 200 m 的 1 mm 聚合物光纖 (POE) 且 10 MBd 時以及在長達 120 m 的距離內、采用 200 μm 塑料薄層二氧化硅 (PCS) 且 50 MBd 時，該接收器均能處理從 DC 至 50 MBd 的任何類型的信號。該器件提供 4 個引腳，采用 Versatile Link 外殼。通用鏈路元器件可以可以互連（疊接在一起），較大限度地節省空間，并提供與全雙工連接器的雙通道連接。AFBR-2529SIZ 具有監控輸出，可提供與平均光輸入功率成比例的模擬電壓。通用鏈路元件提供各種單工和雙工連接器，以及 POF 電纜。對于采用 AFBR-2529SIZ 的光纖鏈路，Broadcom 的 AFBR-16xxZ 發射器使用 650 nm LED 光源，并配合**使用的集成光學器件和驅動器 IC。AFBR-2529SIZ 提供反相輸出信號，這意味著燈亮會導致數據輸出低電平，反之亦然。

半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。它具有體積小、壽命長的特點，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。由于這些優點，半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面以及獲得了廣泛的應用。

激光器的發光原理產生激光要滿足以下條件：
一、粒子數反轉；

二、要有諧振腔，能起到光反饋作用，形成激光振蕩；形成形式多樣，較簡單的是法布里——帕羅諧振腔。

三、產生激光還必須滿足閾值條件，也就是增益要大于總的損耗。

（1）滿足一定的閥值條件。

為了形成穩定振蕩，激光媒質必須能提供足夠大的增益，以彌補諧振腔引起的光損耗及從腔面的激光輸出等引起的損耗，不斷增加腔內的光場。這就必須要有足夠強的電流注人，即有足夠的粒子數反轉，粒子數反轉程度越高，得到的增益就越大，即要求必須滿足一定的電流閥值條件。當激光器達到閥值時，具有特定波長的光就能在腔內諧振并被放大，最后形成激光而連續地輸出。

（2）諧振腔，能起到光反饋作用，形成激光振蕩。

要實際獲得相干受激輻射，必須使受激輻射在光學諧振腔內得到多次反饋而形成激光振蕩，激光器的諧振腔是由半導體晶體的自然解理面作為反射鏡形成的，通常在不出光的那一端鍍上高反多層介質膜，而出光面鍍上減反膜。

對F-P腔（法布里—拍羅腔）半導體激光器可以很方便地利用晶體的與P-N結平面相垂直的自然解理面構成F-P 腔。

（3）增益條件：

建立起激射媒質（有源區）內載流子的反轉分布。在半導體中代表電子能量的是由一系列接近于連續的能級所組成的能帶，因此在半導體中要實現粒子數反轉，必須在兩個能帶區域之間，處在高能態導帶底的電子數比處在低能態價帶**的空穴數大很多，這靠給同質結或異質結加正向偏壓，向有源層內注人必要的載流子來實現，將電子從能量較低的價帶激發到能量較高的導帶中去。當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時，便產生受激發射作用。

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