**SiC者CREE推出了業界*900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應晶體管技術，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進行了優化。追趕同樣成本的Si 基方案，能夠實現下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統，并大幅降低了系統成本。C3M0065090J突破了電力設備技術，是開關模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業高電壓應用等的電源管理解決方案。

X-波段的產品系列包括4個新的GaNHEMT晶體管，兩個衛星通信（CGHV96050F1和CGH96100F1）和兩個商業雷達的應用（CGHV96050F2和CGHV96100F2）。所有四個晶體管提供小尺寸封裝（0.9×0.7“）。
和效率高的優點，在使用這些新的GaN器件多可到三倍更大時相比，可用的GaAs MESFET晶體管。另外，視頻帶寬寬的GaN HEMT晶體管允許在多載波應用中的使用與雙音間距高達70MHz。
完全匹配的GaN HEMT晶體管補充以前發布的包裝MMIC產品，*的CMPA5585025F和CMPA801B025F，也可作為驅動的CGHV96050或CGHV96100。

Cree的CMPA2560025F是一個氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）基于單片微波集成電路（MMIC）。 GaN具有優異的性能相比，硅或砷化鎵，包括更高的擊穿電壓，高飽和電子漂移速度，高的導熱系數。 GaN HEMT器件還提供了更大的功率密度和更寬的帶寬相比，Si和GaAs晶體管。這MMIC包含兩個階段的被動匹配的放大器，使很寬的帶寬要達到占地面積小螺旋式封裝，配有鎢銅散熱器。
典型應用包括
雙通道私人電臺
寬帶放大器
蜂窩基礎設施
測試儀器
適于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 類、AB 類線性放大器
Cree RF 器件尤其適用于高功率通信，這得益于我們所使用的碳化硅 (SiC) 材料。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶體管均采用50Ω終端電阻。工作溫度為-40℃至150℃，存儲溫度為-65℃至150℃，大結溫為225℃，使得器件可以滿足溫度苛刻的應用環境中。在85℃的工作環境中，熱阻抗僅為0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高溫環境中具有良好的散熱性能。