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    單向可控硅的檢測。 萬用表選電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳,此時黑表筆的引腳為控制較G,紅表筆的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應(yīng)不動。用短線瞬間短接陽極A和控制較G,此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說明該單向可控硅已擊穿損壞。可控硅的好壞如何判斷?方法一:測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆  時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1-G之間的正反向電阻很大(接近∞)時,說明控制較G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開路損壞,也不能使用。方法二:檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力A萬用表置于R×10檔:①如圖,1(a)所示,用黑表筆接主電極T2,紅表筆接T1,即給T2加正向電壓,再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開,如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置,說明雙向可控硅中的一部分(其中一個單向可控硅)是好的,改黑表筆接主電極T1,紅表筆接T2,即給T1加正向電壓,再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開,如果結(jié)果同上,也雙向可控硅中的另一部分(其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的,即在兩個方向(在不同極性的觸發(fā)電壓證)均能觸發(fā)導(dǎo)通。方法三:檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力B取一只10uF左右的電解電容器,將萬用表置于R×10k檔(V電壓),對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線,即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號,然后再將萬用表置于R×10檔,照圖2(b)連接好后進(jìn)行測試。測試時,電容C的極性可任意連接,同樣是碰觸一下后離開,觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況,如果測試結(jié)果與“方法二’相同,就雙向可控硅是好的。應(yīng)用此法判斷雙向可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高,使觸發(fā)信號,更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發(fā)能力。可控硅主要參數(shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓在控制較開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未**過導(dǎo)能電壓時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能**過手冊給出的這個參數(shù)值。3、 反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能**過手冊給出的這個參數(shù)值。4、 控制較觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加一定電壓,使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制較電流和電壓。5、 維持電流在規(guī)定溫度下,控制較斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。可控硅的三個電極分別叫陽極(A)、陰極(K)和控制較(G)。當(dāng)器件的陽極接負(fù)電位(相對陰極而言)時,從符號圖上可以看出PN結(jié)處于反向,具有類似二極管的反向特性。當(dāng)器件的陽極上加正電位時(若控制較不接任何電壓),在一定的電壓范圍內(nèi),器件仍處于阻抗很高的關(guān)閉狀態(tài)。但當(dāng)正電壓大于某個電壓(稱為轉(zhuǎn)折電壓)時,器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導(dǎo)狀態(tài)。加在可控硅陽極和陰極間的電壓低于轉(zhuǎn)折電壓時,器件處于關(guān)閉狀態(tài)。此時如果在控制較上加有適當(dāng)大小的正電壓(對陰極),則可控硅可迅速被激發(fā)而變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。可控硅一旦導(dǎo)通,控制較便失去其控制作用。就是說,導(dǎo)通后撤去柵較電壓可控硅仍導(dǎo)通,只有使器件中的電流減到低于某個數(shù)值或陰極與陽極之間電壓減小到零或負(fù)值時,器件才可恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。

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