氮化鉭為黑色六方結晶。相對密度為13.4，熔點為3090℃，顯微硬度為1100kg/mm2，熱導率為9.54W/(m·K)，電阻率為128μΩ·cm氮化鉭為黃綠色結晶，屬型結晶，相對密度為15.6。晶格常數為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉化點溫度為17.8K。利用磁控反應濺射技術制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術研究了薄膜的微觀結構。研究結果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細小（１６ｎｍ左右）；同時還發現，在一定工作壓力下，隨著氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長的晶面會有改變。氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的**部，以形成薄膜表面貼裝電阻

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