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    氮化鉭靶材----氮化鉭(Tantalum mononitride)是一種化工材料,分子式為TaN,分子量為194.95。用來制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中,這些膜沉積在硅晶片的**部,以形成薄膜表面貼裝電阻通過射頻磁控濺射的方法,采用TaN靶,在石英玻璃基底上成功制備了系列面心立方結(jié)構(gòu)的多晶δ-TaNx薄膜,對薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、電學性質(zhì)進行了系統(tǒng)研究,分析了濺射條件對薄膜結(jié)構(gòu)和電輸運性質(zhì)的影響,并對δ-TaNx薄膜在不同溫區(qū)的導電機制進行了探討氮化鉭貯存1、通常對水是不危害的,若無許可,勿將材料排入周圍環(huán)境。2、常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料 氧化物。3、常溫密閉,陰涼通風干燥處氮化鉭靶材合成1、將金屬鉭粉用氮氣或氨氣在1100℃左右直接氮化制得;2、以金屬鉭和氮氣為原料制備氮化鉭,反應式如下:2Ta+N2=2TaN。

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