選擇到一款正確的MOS管，可以地控制生產制造成本，為重要的是，為產品匹配了一款恰當的元器件，這在產品未來的使用過程中，將會充分發揮其“螺絲釘”的作用，確保設備得到、穩定、持久的應用效果。那么面對市面上琳瑯滿目的MOS管，該如何選擇呢？下面，我們就分7個步驟來闡述MOS管的選型要求。MOS管是電子制造的基本元件，但面對不同封裝、不同特性、不同的MOS管時，該如何抉擇？有沒有省心、省力的遴選方法？先是確定N、P溝道的選擇MOS管有兩種結構形式，即N溝道型和P溝道型，結構不一樣，使用的電壓性也會不一樣，因此，在確定選擇哪種產品前，先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。MOS管選型技巧MOS管的兩種結構：N溝道型和P溝道型在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。要選擇適合應用的器件，必須確定驅動器件所需的電壓，以及在設計中簡易執行的方法。第二步是確定電壓額定電壓越大，器件的成本就越高。從成本角度考慮，還需要確定所需的額定電壓，即器件所能承受的大電壓。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓，一般會留出1.2~1.的電壓余量，這樣才能提供足夠的保護，使MOS管失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏至源間可能承受的大電壓，即大VDS。由于MOS管所能承受的大電壓會隨溫度變化而變化，設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路失效。此外，設計還需要考慮其他安全因素：如由開關電子設備(常見有電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。另外，不同應用的額定電壓也有所不同；通常便攜式設備選用20V的MOS管，FPGA電源為20～30V的MOS管，85～220V?AC應用時MOS管VDS為450～600V。第三步為確定電流確定完電壓后，接下來要確定的就是MOS管的電流。需根據電路結構來決定，MOS管的額定電流應是負載在所有情況下都能夠承受的大電流；與電壓的情況相似，MOS管的額定電流必須能滿足系統產生尖峰電流時的需求。電流的確定需從兩個方面著手：連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOS管處于穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的大電流，只需直接選擇能承受這個大電流的器件便可。選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOS管并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，也就是導通損耗。MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的導通電阻RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率損耗PTRON=Iload2×RDS(ON)計算（Iload：大直流輸出電流），由于導通電阻會隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小；反之RDS(ON)就會越高。對系統設計人員來說，這就需要折中權衡。對便攜式設計來說，采用較低的電壓即可(較為普遍)；而對于工業設計來說，可采用較高的電壓。需要注意的是，RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。技術對器件的特性有著重大影響，因為有些技術在提高大VDS（漏源額定電壓）時往往會使RDS(ON)。對于這樣的技術，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發成本。業界現有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術，其中主要的是溝道和電荷平衡技術。MOS管工作原理--MOS管簡介MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，兩個區是一樣的MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。MOS管分類及區別結型場效應管（JFET）結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。結型場效應管也具有三個電，它們是：柵；漏；源。電路符號中柵的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)，N溝道結構型場效應管的結構及符號，由于PN結中的載流子已經耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，當漏電源電壓ED一定時，如果柵電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源之間導電的溝道越窄，漏電流ID就愈小；反之，如果柵電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵電壓EG可以控制漏電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。絕緣柵場效應管1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏電流ID。當柵電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏電流ID隨著柵電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏電流的稱為耗散型；當柵壓為零，漏電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏電流的稱為增強型。mos管優勢　　1.可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關。6.在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零，三管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負載，易于跟前級匹配。

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