肖特基二管肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。肖特基二管優(yōu)點：SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不**60V，高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PC）電路率開關(guān)器件的續(xù)流二管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二管以及PC升壓用600V二管等，只有使用快速恢復(fù)外延二管（RED）和**快速恢復(fù)二管（URD）。URD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于URD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點。近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和?200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的**過1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機與活力。肖特基二管的應(yīng)用：SBD的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。除了普通PN結(jié)二管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等。肖特基二管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正，以N型半導(dǎo)體B為負，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。肖特基二管封裝：肖特基二管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。?采用有引線式封裝的肖特基二管通常作為高頻大電流整流二管、續(xù)流二管或保護二管使用。它有式和對管（雙二管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰（兩管的負相連）、共陽（兩管的正相連）和串聯(lián)（一只二管的正接另一只二管的負）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二管有型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式

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