肖特基缺陷是由于晶體表面附近的原子熱運(yùn)動(dòng)到表面，在原來(lái)的原子位置留出空位，然后內(nèi)部鄰近的原子再進(jìn)入這個(gè)空位，這樣逐步進(jìn)行而造成的，看來(lái)就好像是晶體內(nèi)部原子跑到晶體表面來(lái)了。顯然，對(duì)于離子晶體，陰陽(yáng)離子空位總是成對(duì)出現(xiàn)；但若是單質(zhì)，則無(wú)這種情況。除了表面外，肖特基缺陷也可在位錯(cuò)或晶界上產(chǎn)生。這種缺陷在晶體內(nèi)也能運(yùn)動(dòng)，也存在著產(chǎn)生和復(fù)合的動(dòng)態(tài)平衡。對(duì)一定的晶體來(lái)說(shuō)，在確定的溫度下，缺陷的濃度也是一定的。空位缺陷的存在可用場(chǎng)離子顯微鏡直接觀察到。肖特基二管又被稱為肖特基勢(shì)壘二管（簡(jiǎn)稱?SBD），是一種低功耗、**高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間短，正向?qū)▔航祪H為0.4V左右。肖特基二管多用作高頻、大電流整流二管、低壓、續(xù)流二管、保護(hù)二管、小信號(hào)檢波二管、微波通信等電路中作整流二管等處使用。肖特基二管在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。肖特基二管在雙型晶體管的開(kāi)關(guān)電路里面，通過(guò)在連接二管來(lái)箝位。肖特基勢(shì)壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸，就如同二管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。肖特基勢(shì)壘指具有大的勢(shì)壘高度（也就是ΦBn?或者?ΦBp?》》?kT），以及摻雜濃度比導(dǎo)帶或價(jià)帶上態(tài)密度低的金屬-半導(dǎo)體接觸（施敏，?半導(dǎo)體器件物理與工藝，?*二版，?7.1.2）。肖特基勢(shì)壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸，就如同二管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。金屬與n型半導(dǎo)體形成的肖特基勢(shì)壘如圖1所示。金屬—半導(dǎo)體作為一個(gè)整體在熱平衡時(shí)有同樣費(fèi)米能級(jí)。肖特基勢(shì)壘相較于PN界面大的區(qū)別在于具有較低的界面電壓，以及在金屬端具有相當(dāng)薄的（幾乎不存在）空乏區(qū)寬度。由半導(dǎo)體到金屬，電子需要克服勢(shì)壘；而由金屬向半導(dǎo)體，電子受勢(shì)壘阻擋。在加正向偏置時(shí)半導(dǎo)體一側(cè)的勢(shì)壘下降；相反，在加反向偏置時(shí)，半導(dǎo)體一側(cè)勢(shì)壘增高。使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用（但不是一切金屬—半導(dǎo)體接觸均如此）。如果對(duì)于N型半導(dǎo)體，金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)，對(duì)于P型半導(dǎo)體，金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù)，以及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級(jí)時(shí)會(huì)出現(xiàn)歐姆接觸，它會(huì)因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng)，以致勢(shì)壘不起整流作用。并非所有的金屬-半導(dǎo)體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導(dǎo)體的能隙，以及半導(dǎo)體的摻雜類型及濃度。在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件時(shí)需要對(duì)肖特基效應(yīng)相當(dāng)熟悉，以確保不會(huì)在需要?dú)W姆接觸的地方意外地產(chǎn)生肖特基勢(shì)壘。當(dāng)半導(dǎo)體均勻摻雜時(shí)肖特基勢(shì)壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致。肖特基勢(shì)壘是什么？具有什么應(yīng)用優(yōu)勢(shì)優(yōu)點(diǎn)由于肖特基勢(shì)壘具有較低的界面電壓，可被應(yīng)用在某器件需要近似于一個(gè)理想二管的地方。在電路設(shè)計(jì)中，它們也同時(shí)與一般的二管及晶體管一起使用，?其主要的功能是利用其較低的界面電壓來(lái)保護(hù)電路上的其它器件。然而，自始至終肖特基器件相較于其它半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)能被應(yīng)用的領(lǐng)域并不廣。器件肖特基二管，肖特基勢(shì)壘自身作為器件即為肖特基二管。肖特基勢(shì)壘碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管ET：金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯(cuò)導(dǎo)致肖特基勢(shì)壘，所以我們可以使用這一勢(shì)壘來(lái)制作肖特基二管或者晶體管等等。二管和整流器，Diodes?Inc二管配置單路大連續(xù)正向電流500mA每片芯片元件數(shù)目1峰值反向重復(fù)電壓30V安裝類型表面貼裝封裝類型SOD-323二管類型肖特基引腳數(shù)目2大正向電壓降450mV長(zhǎng)度1.8mm寬度1.4mm高度1.1mm高工作溫度+125?°C峰值反向電流500？A尺寸1.8?x?1.4?x?1.1mm峰值非重復(fù)正向浪涌電流2A工作溫度-40?°C肖特基二管的應(yīng)用：SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被廣泛采用。除了普通PN結(jié)二管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等。

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