在探測器方面，已研制出GaN紫外探測器，波長為369nm，其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、預警等方面有重要應用。GaN在1050℃開始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線衍射已經指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類型的六方晶系。在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時GaN會慢慢揮發，GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時它的蒸氣壓比從焓和熵計算得到的數值低，這是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。GaN不被冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩定的，但在加熱的情況下能溶于堿中aN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色?LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結**亮度藍色LED、InGaN單**阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單**阱GaN藍色和綠色?LED已進入大批量生產階段，從而填補了市場上藍色LED多年的空白。以發光效率為標志的LED發展歷程見圖3。藍色發光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機等領域有著巨大的應用市場。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發工作的不斷深入，GaInN**高度藍光、綠光LED技術已經實現商品化，現在世界各大公司和研究機構都紛紛投入巨資加入到開發藍光LED的競爭行列氮化鋁靶材，共價鍵化合物，是原子晶體，屬類金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，無毒，呈白色或灰白色

公司是生產高**屬材料，蒸發鍍膜材料以及濺射材的應用開發的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以擁有多名中技術人員和化應用實驗室，具有很強的蒸發材料開發能力。公司先后研發的蒸發材料、濺射材系列產品廣泛應用到國內外眾多電子、太陽能企業當中，以較高的性價比，成功發替代了國外進口產品，頗受用戶好。