肖特基二管封裝：
肖特基二管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二管通常作為高頻大電流整流二管、續(xù)流二管或保護(hù)二管使用。它有式和對(duì)管（雙二管）式兩種封裝形式。肖特基對(duì)管又有共陰（兩管的負(fù)相連）、共陽（兩管的正相連）和串聯(lián)（一只二管的正接另一只二管的負(fù)）三種管腳引出方式。
采用表面封裝的肖特基二管有型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式

肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。
肖特基二管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向?yàn)锽→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用作摻雜劑的N-外延層。陽使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高倍。在基片下邊形成N+陰層，其作用是減小陰的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽金屬接電源正，N型基片接電源負(fù)）時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
綜上所述，肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。

肖特基二管是由貴金屬金、鋁、銀、鉑等A為正，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)，然后利用二者接觸面之間上形成的勢壘一種具有整流特性制成的金屬半導(dǎo)體器件。肖特基二管由于N型半導(dǎo)體中存在大量電子，而貴金屬中僅有少量自由電子，肖特基二管中的電子便從濃度高的B向濃度低A中擴(kuò)散。肖特基二管金屬A中沒有空穴，不存在空穴自A向B擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著肖特基二管中電子不斷從B擴(kuò)散到A，B的表面電子濃度逐漸降低，表面電中性破壞，于是形成勢壘。

肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。

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