LOSFIA在日本成功地了使用實現常關MOSFET 的可能性 。這是一項具有開創性的工作，因為生產常關MOSFET一直被認為挑戰性。FLOSFIA計劃制造剛玉（corundum，一種晶體結構）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，從TO-220中的肖特基勢壘二極管（SBD）開始，然后是MOSFET。

氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其帶隙大于硅，氮化鎵和碳化硅，但在成為電力電子產品的主要參與者之前，仍需要開展更多的研發和推進工作

Ga2O3能與氟氣反應，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到產物GaF3·3H2O。Ga2O3能溶于微熱的稀硝酸、稀鹽酸和稀硫酸中。經過灼燒的Ga2O3不溶于這些酸甚至于，也不溶于強堿的水溶液中，只能通過NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。與過量兩倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化鎵。在紅熱時，Ga2O3與石英反應形成玻璃體，但冷卻時沒有新化合物生成。紅熱時也能和上釉的瓷坩堝發生反應。

氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器

公司是生產高**屬材料，蒸發鍍膜材料以及濺射材的應用開發的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以擁有多名中技術人員和化應用實驗室，具有很強的蒸發材料開發能力。公司先后研發的蒸發材料、濺射材系列產品廣泛應用到國內外眾多電子、太陽能企業當中，以較高的性價比，成功發替代了國外進口產品，頗受用戶好。