晶閘管可工作的大頻率由其工作時的電流脈沖寬度，關斷時間以及從關斷后承受正壓開始至其再次開通的時間決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根據工作頻率選取元件時必須**元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq，并留有一定的裕量。隨著工作頻率的升高，元件正向損耗和反向恢復損耗隨之升高，元件通態電流須降額使用。
晶閘管的發展歷史及制約因素
半導體的出現成為20世紀現代物理學其中一項重大的突破，標志著電子技術的誕生。而由于不同領域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發展，其中一個分支即是以集成電路為代表的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具；而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國通用電氣公司研發了世界上個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發了**用于功率轉換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上，晶閘管迅速取代了整流器（引燃管），實現整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節能效果。從1960年始，由普通晶閘管相繼出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族。
但晶閘管本身存在兩個制約其繼續發展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門較（控制較）只能控制其開通而不能控制其關斷，導通后控制較即不再起作用，要關斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及開關器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積，成本增加，而且系統更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經從半控型器件發展到全控型器件

晶閘管損壞原因判斷
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。
3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。
4、 邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。

晶閘管的主要參數
(1)斷態重復峰值電壓UDRM
門較開路,重復率為每秒50次,每次持續時間不大于10ms的斷態脈沖電壓,UDRM=90%U*,U*為斷態不重復峰值電壓。U*應比UBO小,所留的裕量由生產廠家決定。
(2)反向重復峰值電壓URRM
其定義同UDRM相似,URRM=90%URSM,URSM為反向不重復峰值電壓。
(3)額定電壓
選UDRM和URRM中較小的值作為額定電壓,選用時額定電壓應為正常工作峰值電壓的2～3倍,應能承受經常出現的過電壓。

晶閘管(SCR)
晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。
晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統中,晶閘管在整流電路、靜態旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。
晶閘管的弱點:靜態及動態的過載能力較差,容易受干擾而誤導通。
晶閘管從外形類主要有:螺栓形、平板形和平底形。

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