晶閘管導(dǎo)通的條件：
1、晶閘管陽與陰間接正向電壓；
2、控制與陰之間也接正向電壓(實(shí)際工作中,控制加正觸發(fā)脈沖信號(hào))；
晶閘管導(dǎo)通后，控制便失去作用。依靠正反饋，晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。
關(guān)斷晶閘管的方法：將陽電壓降低到足夠小或加瞬間方向陽電壓、將陽瞬間開路。
晶閘管的過電流保護(hù)： 
1、過電流：當(dāng)流過晶閘管的電流有效值**過它的額定通態(tài)平 均電流的有效值時(shí)，稱為過電流；
2、原因：負(fù)載過重，輸出回路短路等；
3、過電流保護(hù)：當(dāng)發(fā)生過電流時(shí)，能迅速將電流切斷，以防 晶閘管損壞；
4、措施：靈敏過電流繼電器保護(hù)、快速熔斷器保護(hù)等；
5、快速熔斷器 。
晶閘管的使用注意事項(xiàng)
選用可控硅的額定電壓時(shí)，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時(shí)，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不**過相應(yīng)電流下的允許值。
2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。
3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且**所規(guī)定的冷卻條件。為**散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。
5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。
6、要防止可控硅控制較的正向過載和反向擊穿。

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晶閘管的檢測(cè)
1、判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知，其門較G與陰極K較之間為一個(gè)PN結(jié)，具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門較之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬用表的R×100或R×1 k Q檔測(cè)量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一較，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門較G。在阻值為幾百歐姆的測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測(cè)量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測(cè)出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門較G，應(yīng)用同樣方法改測(cè)其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測(cè)任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩較即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門較G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。 螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細(xì)的引線端為門較G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門較G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。
2、觸發(fā)能力檢測(cè)：對(duì)于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時(shí)表針不動(dòng)，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門較短路(見圖2)，相當(dāng)于給G較加上正向觸發(fā)電壓，此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號(hào)不同會(huì)有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A較與G較的連接(A、K較上的表筆不動(dòng)，只將G較的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng)，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。

晶閘管的工作過程
晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié),可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管。
當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基較電流。因此是兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門較電流Ig流入時(shí),就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通。
設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流分別為IC1和IC2,發(fā)射較電流相應(yīng)為Ia和Ik,電流放大系數(shù)相應(yīng)為α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電流為ICO,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:
Ia=IC1+IC2+ICO
=α1Ia+α2Ik+ICO (1)
若門較電流為Ig,則晶閘管陰極電流為:Ik=Ia+Ig。
硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)α1和α2隨其發(fā)射較電流的改變而急劇變化。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,而門較未接受電壓的情況下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈ICO,晶閘管處于正向阻斷狀態(tài);當(dāng)晶閘管在正向門較電壓下,從門較G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高放大系數(shù)α2,產(chǎn)生足夠大的集電極電流IC2流過PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)α1,產(chǎn)生更大的集電極電流IC1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。
當(dāng)α1和α2隨發(fā)射較電流增加而使得(α1+α2)≈1時(shí),式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia。這時(shí),流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。晶閘管導(dǎo)通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此時(shí)門較電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,門較已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷地減小電源電壓或回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于α1和α2迅速下降,晶閘管恢復(fù)到阻斷狀態(tài)。

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