晶閘管整流電路器件選擇：工頻整流是晶閘管元件常用的領(lǐng)域之一。元件選用主要考慮其額定電壓和額定電流。
1、晶閘管器件的正反向峰值電壓：應(yīng)為元件實際承受大峰值電壓UM的2-3倍，即(2-3)。
2、晶閘管器件的額定通態(tài)電流：晶閘管的IT值指的是工頻正弦半波平均值，為使元件在工作過程中不因過熱損壞，流經(jīng)元件的實際有效值應(yīng)在乘以安全系數(shù)1.5-2后才能等于1.57IT。假設(shè)整流電路負載平均電流為Id，流經(jīng)每個器件的電流有效值為KId。
晶閘管的種類？
1， 可關(guān)斷型晶閘管 KG
普通型晶閘管，在控制較G加上正向觸發(fā)信號普通型晶閘管導(dǎo)通后，控制較G就失去作用，要使普通型晶閘管關(guān)斷，必須陽極A與陰極K的正向電壓為零或加上負電壓。而可關(guān)斷型晶閘管只要在控制較G加上足夠大且較寬的負向觸發(fā)電流，就可以使晶閘管有效關(guān)斷。
用途：一般使用在斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源及直流控制電路中，如直流負載（繼電器線圈、電磁閥、電磁離合器、直流電機）的電源通斷、汽車點火器等。
2， 雙向晶閘管 KS
普通型晶閘管，如果在陽極A與陰極K的加上負向電壓，即使在控制較G加上正向觸發(fā)信號，普通型晶閘管也不會導(dǎo)通。而雙向晶閘管卻能夠?qū)āＲ闺p向晶閘管關(guān)斷，必須陽極A與陰極K的之間的電壓為零。
用途：一般使用在交/直流控制電路中，如調(diào)壓器；逆變器；交/直流負載開關(guān)等。
3， 逆導(dǎo)晶閘管KN（亦稱反向?qū)ňчl管）
在某些應(yīng)用場合（如逆變器、斬波器等）要求晶閘管陽極A與陰極K端并接反向二極管，而逆導(dǎo)晶閘管正是基于這個要求，在一個硅片材料上，將晶閘管與反向二極管集成在了一起。因而逆導(dǎo)晶閘管具有正向?qū)煽亍⒎聪蜃匀粚?dǎo)通且可通過大電流的不可控；具有耐高壓、耐高溫；關(guān)斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能等特點。
用途：一般用于開關(guān)電源；UPS不間斷電源；高壓、大功率負載上。如軌道交通的電源。
4， 快速晶閘管KK
由于在某些應(yīng)用領(lǐng)域，要求晶閘管能夠快速響應(yīng)及通斷功能，而快速晶閘管是在普通晶閘管制作基礎(chǔ)上，改變了制作工藝，使得晶閘管在開通與關(guān)斷時間上大幅縮短，開通時間為8μs左右；關(guān)斷時間為50μs左右。主電路換向時間小于60ms，同時工作頻率也提升至幾千HZ。
用途：常用于UPS不間斷電源；三相變頻電源；中頻電源；超聲波電源；逆變器、斬波器；快速開關(guān)，脈寬調(diào)制器，多諧振蕩器等
5，光控晶閘管
光控晶閘管是既可利用光源激發(fā)導(dǎo)通；也可象普通晶閘管由控制較G觸發(fā)信號來導(dǎo)通的晶閘管，在結(jié)構(gòu)上有兩端（無控制較G）和三端之分。光控制是，其主電路與控制電路在電氣上完全絕緣。

晶閘管的伏安特性
晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關(guān)系稱為晶閘管伏安特性,如圖2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于*三象限。
(1) 反向特性
當門較G開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,同時J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,如圖2的特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此后,晶閘管會發(fā)生性反向擊穿。
(2) 正向特性
當門較G開路,陽極A加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉(zhuǎn)折電壓”。
由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子進入N1區(qū),空穴進入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合。同樣,進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿后，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉。這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍有增加,電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性，見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結(jié)均處于正偏，晶閘管便進入正向?qū)щ姞顟B(tài)——通態(tài),此時，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似，如圖2的BC段。
(3) 觸發(fā)導(dǎo)通
在門較G上加入正向電壓時(如圖5所示),因J3正偏,P2區(qū)的空穴進入N2區(qū),N2區(qū)的電子進入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在晶閘管的內(nèi)部正反饋作用(如圖2)的基礎(chǔ)上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導(dǎo)通,導(dǎo)致圖2中的伏安特性O(shè)A段左移,IGT越大,特性左移越快。

晶閘管損壞原因判斷
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。
3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。
4、 邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。

晶閘管的檢測
1、判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知，其門較G與陰極K較之間為一個PN結(jié)，具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門較之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬用表的R×100或R×1 k Q檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一較，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門較G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門較G，應(yīng)用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩較即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門較G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。 螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門較G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門較G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。
2、觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門較短路(見圖2)，相當于給G較加上正向觸發(fā)電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A較與G較的連接(A、K較上的表筆不動，只將G較的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。

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