晶閘管的工作原理：
1、晶閘管具有單向?qū)щ娦裕赫驅(qū)l件：A、K間加正向電壓，G、K間加觸發(fā)信號；
2、晶閘管一旦導通，控制失去作用：若使其關斷，必須降低UAK或加大回路電阻，把陽電流減小到維持電流以下；
晶閘管的結(jié)構(gòu)：晶閘管由四層半導體材料構(gòu)成，它有三個：陽，陰和門。晶閘管是在晶體管基礎上發(fā)展起來的一種大功率半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。
晶閘管的工作條件
由于晶閘管只有導通和關斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化：
(1)晶閘管承受反向陽極電壓時,無論門較承受何種電壓,晶閘管都處于關斷狀態(tài)。
(2)晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在門較承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。
(3)晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,無論門較電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門較失去作用。
(4)晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。

晶閘管的主要參數(shù)
(1)斷態(tài)重復峰值電壓UDRM
門較開路,重復率為每秒50次,每次持續(xù)時間不大于10ms的斷態(tài)脈沖電壓,UDRM=90%U*,U*為斷態(tài)不重復峰值電壓。U*應比UBO小,所留的裕量由生產(chǎn)廠家決定。
(2)反向重復峰值電壓URRM
其定義同UDRM相似,URRM=90%URSM,URSM為反向不重復峰值電壓。
(3)額定電壓
選UDRM和URRM中較小的值作為額定電壓,選用時額定電壓應為正常工作峰值電壓的2～3倍,應能承受經(jīng)常出現(xiàn)的過電壓。

可控硅與晶閘管有什么區(qū)別？
晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅，屬于功率器件領域，是一種功率半導體開關元件，可控硅是其簡稱，按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)。可控硅也稱作晶閘管，它是由PNPN四層半導體構(gòu)成的元件，有三個電極、陽極A、陰極K和控制較G。可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生，而且動作快、壽命長、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影。可控硅分為單向的和雙向的，符號也不同。
單向可控硅有三個PN結(jié)，由外層的P較和N較引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的P較引出一個控制較。單向可控硅有其特的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制較不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制較同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態(tài)。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導通狀態(tài)。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。
雙向可控硅的引腳多數(shù)是按T1、T2、G的順序從左至右排列(電極引腳向下，面對有字符的一面時)。加在控制較G上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G較上觸發(fā)脈沖的極性改變時，其導通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽極向陰極單方向?qū)ǎ钥煽毓栌袉坞p向之分。電子制作中常用可控硅，單向的有MCR-100等，雙向的有TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按封裝分：分為一般半塑封裝，外絕緣式全塑封裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)電壓品種、高壓品種。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門立的學科。“晶閘管交流技術(shù)”。可控硅發(fā)展到今天，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。
可控硅在應用電路中的作用體現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無觸點功率靜態(tài)開關(固態(tài)開關)：
作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣泛應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關等用途。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機等工業(yè)控制領域等都大量使用了可控硅器件。在這些應用電路中，可控硅元件多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關等。

晶閘管的伏安特性
晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關系稱為晶閘管伏安特性,如圖2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于*三象限。
(1) 反向特性
當門較G開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,同時J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,如圖2的特性曲線OR段開始彎曲,彎曲處的電壓URO稱為“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此后,晶閘管會發(fā)生性反向擊穿。
(2) 正向特性
當門較G開路,陽極A加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當電壓增加,如圖2的特性曲線OA段開始彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉(zhuǎn)折電壓”。
由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應,在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子進入N1區(qū),空穴進入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復合。同樣,進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復合，雪崩擊穿后，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復合掉。這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍有增加,電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負阻特性，見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結(jié)均處于正偏，晶閘管便進入正向?qū)щ姞顟B(tài)——通態(tài),此時，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似，如圖2的BC段。
(3) 觸發(fā)導通
在門較G上加入正向電壓時(如圖5所示),因J3正偏,P2區(qū)的空穴進入N2區(qū),N2區(qū)的電子進入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在晶閘管的內(nèi)部正反饋作用(如圖2)的基礎上,加上IGT的作用,使晶閘管提前導通,導致圖2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

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