晶閘管導通的條件：
1、晶閘管陽與陰間接正向電壓；
2、控制與陰之間也接正向電壓(實際工作中,控制加正觸發脈沖信號)；
晶閘管導通后，控制便失去作用。依靠正反饋，晶閘管仍可維持導通狀態。
關斷晶閘管的方法：將陽電壓降低到足夠小或加瞬間方向陽電壓、將陽瞬間開路。
晶閘管的過電流保護： 
1、過電流：當流過晶閘管的電流有效值**過它的額定通態平 均電流的有效值時，稱為過電流；
2、原因：負載過重，輸出回路短路等；
3、過電流保護：當發生過電流時，能迅速將電流切斷，以防 晶閘管損壞；
4、措施：靈敏過電流繼電器保護、快速熔斷器保護等；
5、快速熔斷器 。
晶閘管損壞原因判斷
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。
3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。
4、 邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。

可控硅與晶閘管有什么區別？
晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅，屬于功率器件領域，是一種功率半導體開關元件，可控硅是其簡稱，按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)?？煽毓枰卜Q作晶閘管，它是由PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極、陽極A、陰極K和控制較G?？煽毓柙陔娐分心軌驅崿F交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，而且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有它的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的，符號也不同。
單向可控硅有三個PN結，由外層的P較和N較引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的P較引出一個控制較。單向可控硅有其特的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制較不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制較同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。
雙向可控硅的引腳多數是按T1、T2、G的順序從左至右排列(電極引腳向下，面對有字符的一面時)。加在控制較G上的觸發脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。與單向可控硅的區別是，雙向可控硅G較上觸發脈沖的極性改變時，其導通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經觸發后只能從陽極向陰極單方向導通，所以可控硅有單雙向之分。電子制作中常用可控硅，單向的有MCR-100等，雙向的有TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按封裝分：分為一般半塑封裝，外絕緣式全塑封裝;按觸發電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發型;按電壓分：常規電壓品種、高壓品種。可控硅產品由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門立的學科?！熬чl管交流技術”?？煽毓璋l展到今天，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。
可控硅在應用電路中的作用體現在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流→可變直流之轉變;無觸點功率靜態開關(固態開關)：
作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。家用電器中的調光燈、調速風扇、冷暖空調器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等工業控制領域等都大量使用了可控硅器件。在這些應用電路中，可控硅元件多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。

晶閘管的工作過程
晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管。
當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基較電流。因此是兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門較電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通。
設PNP管和NPN管的集電極電流分別為IC1和IC2,發射較電流相應為Ia和Ik,電流放大系數相應為α1=IC1/Ia和α2=IC2/Ik,設流過J2結的反相漏電流為ICO,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:
Ia=IC1+IC2+ICO
=α1Ia+α2Ik+ICO (1)
若門較電流為Ig,則晶閘管陰極電流為:Ik=Ia+Ig。
硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數α1和α2隨其發射較電流的改變而急劇變化。當晶閘管承受正向陽極電壓,而門較未接受電壓的情況下,式(1)中Ig=0,(α1+α2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈ICO,晶閘管處于正向阻斷狀態;當晶閘管在正向門較電壓下,從門較G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結,從而提高放大系數α2,產生足夠大的集電極電流IC2流過PNP管的發射結,并提高了PNP管的電流放大系數α1,產生更大的集電極電流IC1流經NPN管的發射結,這樣強烈的正反饋過程迅速進行。
當α1和α2隨發射較電流增加而使得(α1+α2)≈1時,式(1)中的分母1-(α1+α2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia。這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,晶閘管已處于正向導通狀態。晶閘管導通后,式(1)中1-(α1+α2)≈0,即使此時門較電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通,門較已失去作用。在晶閘管導通后,如果不斷地減小電源電壓或回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由于α1和α2迅速下降,晶閘管恢復到阻斷狀態。

晶閘管的發展歷史及制約因素
半導體的出現成為20世紀現代物理學其中一項重大的突破，標志著電子技術的誕生。而由于不同領域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發展，其中一個分支即是以集成電路為代表的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具；而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國通用電氣公司研發了世界上個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發了**用于功率轉換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上，晶閘管迅速取代了整流器（引燃管），實現整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節能效果。從1960年始，由普通晶閘管相繼出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族。
但晶閘管本身存在兩個制約其繼續發展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門較（控制較）只能控制其開通而不能控制其關斷，導通后控制較即不再起作用，要關斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及開關器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積，成本增加，而且系統更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經從半控型器件發展到全控型器件

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