晶體管的主要參數：
1、反向阻斷峰值電壓：在額定結溫和控制開路的條件下，允許重復加在陽—陰間的大反向阻斷電壓；
2、正向阻斷峰值電壓：在額定結溫和控制開路及晶閘管正向阻斷的條件下，重復加在陽—陰間的大正向阻斷電壓；
3、正向平均電流：在規定環境溫度及散熱條件下，允許連續通過工頻正弦半波電流的平均值；
4、通態平均電壓: 晶閘管導通時管壓降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、維持電流：在室溫和控制開路時，元件能維持導通狀態所需的小陽電流；
6、控制觸發電壓和觸發電流：在溫室下，陽—陰間加規定的正向直流電壓，使晶閘管導通所需的小控制電壓和電流。
晶閘管的使用注意事項
選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不**過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且**所規定的冷卻條件。為**散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。
5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制較的正向過載和反向擊穿。

晶閘管的選用
1、選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應根據應用電路的具體要求合理選用。
若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通單向晶閘管。
若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中，應選用雙向晶閘管。
若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門較關斷晶閘管。
若用于鋸齒波發生器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等，可選用BTG晶閘管。
若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、**導磁能儲存系統及開關電源等電路，可選用逆導晶閘管。
若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行電路，可選用光控晶閘管。
2、選擇晶閘管的主要參數：晶閘管的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。
所選晶閘管應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流(通態平均電流)均應**受控電路的工作電壓和工作電流1．5～2倍。
晶閘管的正向壓降、門較觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路(指門較的控制電路)的各項要求，不能偏高或偏低，否則會影響晶閘管的正常工作。

晶閘管的檢測
1、判別各電極：根據普通晶閘管的結構可知，其門較G與陰極K較之間為一個PN結，具有單向導電特性，而陽極A與門較之間有兩個反極性串聯的PN結。因此，通過用萬用表的R×100或R×1 k Q檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一較，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門較G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門較G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩較即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門較G。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。 螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門較G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門較G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。
2、觸發能力檢測：對于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或導線將晶閘管的陽極A與門較短路(見圖2)，相當于給G較加上正向觸發電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發而導通。再斷開A較與G較的連接(A、K較上的表筆不動，只將G較的觸發電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發性能良好。

晶閘管損壞原因判斷
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。
3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。
4、 邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。

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