晶閘管的工作原理：1、晶閘管具有單向導電性：正向導通條件：A、K間加正向電壓，G、K間加觸發信號；2、晶閘管一旦導通，控制失去作用：若使其關斷，必須降低UAK或加大回路電阻，把陽電流減小到維持電流以下；晶閘管的結構：晶閘管由四層半導體材料構成，它有三個：陽，陰和門。晶閘管是在晶體管基礎上發展起來的一種大功率半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管的使用注意事項選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不**過相應電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且**所規定的冷卻條件。為**散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。6、要防止可控硅控制較的正向過載和反向擊穿。晶閘管損壞原因判斷當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、 邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。IGBT、二極管、整流橋、IPM、電容可控硅-快速系列，交期快，貨源穩，品質** 注：1、一些商品價格標價為 1.00元并非真實價格，若要相關真實價格可聯系QQ或者來電咨詢！     2、本店可累積消費，當您在3個月內購買一種產品達到一定的量，多出來的差價我們會給您按數量來判斷補差價給予買方。（差價僅在期限里有效哦，用的好別忘了來多買，莫錯失哦！）3 、賽米控（西門康）SEMIKRON 英飛凌 （Infineon）可控硅 IGBT 系列產品，本公司可直接向德國訂貨，貨源穩 交期快 量大更優惠！**每顆型號都為原裝新件。歡迎新老客戶咨詢！ 所報價格均含稅含運費價格！如果不明白歡迎來電咨詢，謝謝！原裝、長期、三包承若期待與貴公司的合作！ 愿我公司能給貴公司帶來更多的幫助!晶閘管的檢測1、判別各電極：根據普通晶閘管的結構可知，其門較G與陰極K較之間為一個PN結，具有單向導電特性，而陽極A與門較之間有兩個反極性串聯的PN結。因此，通過用萬用表的R×100或R×1 k Q檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一較，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門較G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門較G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩較即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門較G。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。 螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門較G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門較G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。2、觸發能力檢測：對于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或導線將晶閘管的陽極A與門較短路(見圖2)，相當于給G較加上正向觸發電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發而導通。再斷開A較與G較的連接(A、K較上的表筆不動，只將G較的觸發電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發性能良好。

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