摻雜氧化錫一硅灰石復合粉體的制備與表征
- 作者:大冶市錦鵬摩擦材料有限公司 2018-11-13 17:09 4080
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摘要:為了改善硅灰石的導電性,對硅灰石粉體的表面包覆改性進行研究:以硅灰石粉為原料,和三氯化為沉淀包覆劑,采用化學沉淀法制備摻雜氧化錫一硅灰石復合抗靜電材料;研究不同工藝條件對該復合粉體體積電阻率的影響,采用透射電子顯微鏡、x射線能量色散譜、白度儀、粒度儀、比表面積儀等進行表征。
Sn02作為一種典型的寬禁帶n型半導體,被廣泛應用于氣敏材料、太陽能電池等元器件的生產,但是Sn02存在流動性和電學性能較差等問題。研究表明,在Sn02晶體中摻雜F、Sb、Mo、In等元素可進一步減小Sn02的電阻,顯著提高其光學和電學性能。在這些摻雜氧化物中摻雜氧化錫作為一種新型的抗靜電功能材料,不僅具有良好的電學和光學性能,而且克服了傳統導電材料成本高,易受酸堿腐蝕和機械磨損,對氣候和使用環境要求高等限制。研究表明,可以采用一些價格較低的礦物材料合成復合導電粉體。硅灰石是一種無機針狀礦物,具有較大的白度,廣泛應用于塑料等工業。通過在硅灰石粉體表麗包覆一層無機改性物可賦予其新的性能,化學沉淀法是制備包覆粉體的一種重要的方法。本文中以三氯化、為沉淀包覆劑,以硅灰石粉體為載體,采用化學沉淀法對硅灰石顆粒進行表面無機包覆粉體改性,生成摻雜氧化錫一硅灰石復合導電粉體,研究不同包覆量、煅燒溫度、煅燒時間、三氯化與的物質的量比、pH對硅灰石復合粉體體積電阻率的影響。
l 實驗
1.1 原料與儀器
主要原料包括:硅灰石,江西上高華杰泰礦纖科技有限公司,理論化學成分,Ca0質量分數為48.3%,Si02質量分數為51.7%;(SriCl4 - 5H20),分析 純,市售;三氯化(SbCl3),分析純,市售;HC1質量分數為36%—38%的,市售。
主要儀器包括:HL-2B型數顯恒流泵,上海滬西分祈儀器廠有限公司;XKSW-4D-H型電阻爐溫度控制器,上海賀德實驗設備廠;CEST-121型體積、表面電阻測定儀,北京冠測試驗儀器有限公司。
1.2 實驗原理
利用與三氯化在水介質中發生共沉淀反應,經過高溫煅燒后其氧化物品體間生成置換式空位點缺陷。
采用JEM-2100F型透射電子顯微鏡(日本JEOL電子公司)觀察改性前后復合粉體的微觀形貌;采用ST-2000型BET氮吸附比表面積儀(北京市北分儀器技術公司)測定復合粉體材料的比表面積;采用WSB-2型數顯白度儀(上海昕瑞儀器儀表有限公司)測定復合粉體白度;采用S3500型激光散射粒度分析儀(美國麥奇克有限公司)測定復合粉體材料粒度。
2結果與討論
2.1制備工藝條件對復合粉體體積電阻率的影響
2.1.1包覆量的影響
包覆量指Sr102與Sb03的理論轉化質量與硅灰石質量的比值。設定煅燒溫度為700℃,煅燒時間為2h.SbCl3與SnCl4的物質的量比為1:10,pH為7,所示為不同包覆量時硅灰石復合粉體的體積電阻率。當包覆量較小時,硅灰石表面不能完全被摻雜氧化錫層完全包覆,因此此時電阻較大;當包覆量由2.0%增大為2.5%時,隨著包覆量的增大,硅灰石粉體的體積電阻率顯著減小,在包覆量為固相摻雜反應與物質的結構、擴散速度、導電載流子的濃度和原子、離子間的化學鍵等條件有關,與一般的化學反應一樣受溫度的影響,溫度越高,擴散越快,摻雜反應越快。如果煅燒溫度過低,導電載流子的濃度也較小,生成的晶粒較小,晶體中存在著大量的晶體邊界和晶體缺陷,影響了電子的遷移速率,導致固相摻雜反應不完全,不能產生較多的導電氧空位,因此體積電阻率較大。當溫度逐漸升高時,載流子[Sb5+]濃度變大,Sn02晶體在600℃時晶化已趨完全,結晶度增大,晶體結構趨于完整,晶型也越來越好,晶體缺陷對載流子遷移速率的影響越來越小,因此復合粉體體積電阻率明顯減小。當溫度過高時,由于載體和包覆層的熱膨脹系數不同,導電包覆層有可能脫落,使硅灰石結構發生變化,因此增大了復合粉體的體積電阻率。
2.1.3煅燒時間的影響
設定包覆量為2.5%,煅燒溫度為700 aC,SbCI,與SnCl4的物質的量比為l:10,pH為7.為不同煅燒時間對硅灰石復合粉體體積電阻率的影響。
可知,隨著煅燒時間的延長,硅灰石復合粉體的體積電阻率顯著減小。大約2h后,體積電阻率基本恒定,變化幅度不大。由此可知,最佳煅燒時間為2h。
2.1.4 SbCl3與SnCl4的物質的量比的影響
設定包覆量為2.5%,煅燒溫度為700℃,煅燒時間為2h,pH為7,圖4所示為不同SbCI3與SnCI4的物質的量比對復合粉體體積電阻率的影響。由圖可知,隨著Sb摻雜量的增大,粉體的體積電阻率先減小后增大,當SbCl3與SnCl4的物質的量比為1:8以:12時達到最小。當Sb摻雜含量較小時,由反應方程式(5)可知,氧空位較少,導電載流子濃度也較小,導電性差,復合粉體的體積電阻率較大;Sb摻雜量增大時,Sb3+進入Sn2晶格轉化為Sbs+時產生的自由電子增多,故增大Sb3+的濃度可增大Sbs,的濃度,使載流子濃度增大,另一方面,載流子沿著與Sn0:同一晶面運動,運動阻力小,因此電阻減小;當Sb濃度繼續增大時,Sb以Sb3+的形式存在,補償了Sb5+產生的自由電子,載流子濃度減小,而且大摻雜量引入雜質,使Sn02產生較大的晶格畸變,電子散射增強,阻礙了導電載流子遷移,因此復合粉體體積電阻率隨之增大。從節約生產成本等方面考慮,選擇SbCI3與SnCl4的物質的量比為1:8,此時復合粉體的體積電阻率達到0.85×l05л.cm。
2.1.5 pH的影響
設定為包覆量為2.5%,煅燒溫度為700 c;C,煅燒時間為2 h.SbCl,與SnCl。的物質的量比為1:8.
pH不僅影響晶體生成過程早期階段Sn02的成核作用,而且對隨后的晶體生長過程也有很大的影響。在包覆階段,pH對晶體生長有2個方面的影響:1)影響水解產物的生成速率和晶粒的大小;2)可以改變基體的表謠特性,進而影響水解產物的吸附特性。
當pH為2—5時,由Sn4+與Sb5+水解反應的化學方程式(1)、(3)可知,在酸性條件下水解反應受到抑制,水解反應不完全;當pH過大時,水解速率增大,發生自身的均相成核使顆粒變大,很難吸附于硅灰石顆粒的表面。由圖5可知,pH控制在7~11時復合粉體的體積電阻率較小。
2.2 復合粉體表征
2.2.1 形貌分析
圖6為硅灰石與無機改性硅灰石復合粉體的透射電子顯微鏡(TEM)圖像。由圖6(a)可知,未改性的硅灰石呈纖維狀的平滑的解理面,表面無覆蓋物;與圖6(a)相比,圖6(b)、(c)硅灰石表面均勻地覆蓋了一層透明的導電層,厚度小于100 mn;為了證明硅灰石表面包覆物為摻雜氧化錫,采用X射線能量色散譜對包覆前后硅灰石的微觀表面進行測定,結果包覆前的硅灰石只有Si、O、Ca元素的光譜峰,但是包覆后,除了硅灰石本身的元素外,明顯出現了Sb、Sn的光譜峰,說明硅
灰石表面包覆的透明導電層為摻雜氧化錫。
2.2.2包覆前后的白度、粒度、比表面積與體積電阻率
為在最佳工藝條件,即包覆量為2.5%,煅燒溫度為700℃,煅燒時間為2h,SbCI,與SnCl4的物質的量比為1:8,pH力7的條件下,硅灰石包覆前后的白度、粒徑、比表面積與體積電阻率的值。可知,包覆后硅灰石白度有所減小,但仍然大于90%,影響其應用;硅灰石粒徑在包覆后增大,表明摻雜氧化錫包覆在了硅灰石表面;包覆后硅灰石粉體的比表面積由1.406 8m2/g增大到3.653 2 m2/g,表明材料中產生了新的界面,可能是由摻雜氧化錫包覆在硅灰石顆粒表面形成;經過包覆改性后硅灰石粉體的體積電阻率顯著減小,達到了抗靜電的效果。
3結論
以硅灰石粉體為體,三氯化和為沉淀包覆劑,采用化學共沉淀的方法制備了摻雜氧化錫包覆硅灰石復合導電粉體。
1)包覆反應的最佳工藝條件如下:包覆量為2.5%,煅燒溫度為700℃,煅燒時間為2h,SbCl,與SnC14的物質的量比為1:8,pH為7—11。
2)包覆后硅灰石表面包覆了一層透明的納米摻雜氧化錫,厚度小于100mm,白度由91.7%減小為90.5%.中位粒徑由10.81μm增大為11.46μm,粉體比表面積由1.406 8m2/g增大為3.653 2 m2/g。
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矽酸鈣和鈣 針狀硅灰石的理化指標
Sio2 45-55%
Cao 38-45%
Bao 0.32%
Fe2o3 0.2-1.0%
K2O 0.07%
Al2o3 0.094%
Na2O 0.02%
Mgo 0.282%
Mno 0.11%
Tio2 0.006%
S 0.008%
P2O5 0.021%
白度Ry/C 85-90
燒失量Loi(1000℃) 0.3-1.0
水分 < 0.1%
長徑比 15-30:1
粒度 40目--3000目
假比重 45 57
30min
2Hrs 43 54
容重> 140 150
產品價格:3000.00 元/噸 起
發貨地址:湖北黃石包裝說明:不限
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