1、變容二極管的作用是利用PN結之間電容可變的原理制成的半導體器，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。

變容二極管屬于反偏壓二極管，改變其PN結上的反向偏壓，即可改變PN結電容量。反向偏壓越高，DO41二極管，結電容則越少，DO35二極管，反向偏壓與結電容之間的關系是非線性的，如右圖所示。

2、變容二極管的電容值與反向偏壓值的關系圖解：

(a) 反向偏壓增加，造成電容減少；

(b) 反向偏壓減少，造成電容增加。

電容誤差范圍是一個規定的變容二極管的電容量范圍。數據表將顯示較小值、標稱值及較大值，這些經常繪在圖上。

串聯型穩壓電路(如圖5):在此電路中，串聯穩壓管BG的基較被穩壓二極管D鉗定在13V，直插式二極管，那么其發射較就輸出恒定的12V電壓了.這個電路在很多場合下都有應用。

晶體管射隨電路

在很多的電子電路中，為了減少后級電路對前級電路的影響和有些前級電路的輸出要求有較強的帶負載能力(即要求輸出阻抗較低)時，要用到緩沖電路，從而達到增強電路的帶負載能力和前后級阻抗匹配，晶體管射隨器就是一種達到上述功能的緩沖電路。

晶體管射隨電路實際上是晶體管共發電路，它是晶體三極管三大電路形式之一(共基電路、共集電路、共發電路)，它的電路基本形式如圖A1所示.　

場效應管是一種單較型晶體管，它只有一個P-N結，二極管，在零偏壓的狀態下，它是導通的，如果在其柵較(G)和源較(S)之間加上一個反向偏壓(稱柵較偏壓)在反向電場作用下P-N變厚(稱耗盡區)溝道變窄，其漏較電流將變小，(如圖C1-b)，反向偏壓達到一定時，耗盡區將完全溝道'夾斷'，此時，場效應管進入截止狀態如圖C-c，此時的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓，用Vpo表示，它與柵較電壓Vgs和漏源電壓Vds之間可近以表示為Vpo=Vps+|Vgs|，這里|Vgs|是Vgs的**值.

在制造場效應管時，如果在柵較材料加入之前，在溝道上先加上一層很薄的絕緣層的話，則將會大大地減小柵較電流，也大大地增加其輸入阻抗，由于這一絕緣層的存在，場效應管可工作在正的偏置狀態，我們稱這種場效應管為絕緣柵型場效應管，又稱MOS場效應管，所以場效應管有兩種類型，一種是絕緣柵型場效應管，它可工作在反向偏置，零偏置和正向偏置狀態，一種是結型柵型效應管，它只能工作在反向偏置狀態.

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