QT2型晶體管特性圖示儀可根據需要測量半導體二極管、三極管的低頻直流參數。
較大集電極電流可達50A，基本滿足500W以下的半導體管的測試。
具備高壓測試能力，可對3KV(5KV)\\以下的半導體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試，其測試電流較高靈敏度可達到0.5uA/度。
基較階梯信號具有脈沖階梯輸出，可測量二次擊穿特性。
特點：大功率器件測試, IGBT模塊測試 MOS管測試
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集電極掃描信號 (輸出電壓范圍/電流容量)
三極管和二極管
 0～10V / 50A (脈沖階梯) 20A(平均值)
 0～50V / 10A (平均值)
 0～100V / ** (平均值)
 0～500V / 0.** (平均值)
二極管高壓測試
 0～5KV(3KV) / 5mA (較大)
基較階梯信號
階梯電流:1uA～200mA/級，分17檔
階梯電壓:0.05～1V/級，分5檔
階梯波形:正常(**)，脈沖(10～40%)
Y軸偏轉系數
集電極電流:1uA～**/度，分21檔
二極管電流:1～500uA/div，分9檔
集電極及二極管電流倍率:×0.5
X軸偏轉系數
集電極電壓:10mV～50V/度，分12檔
二極管電流:100～500V/度，分3檔
基電極電壓:10mV～1V/度，分7檔
一般性能
有效顯示面10×10div(1div=0.8cm)
視在功率 約80VA
約300VA(最大功率)
外形尺寸 30×40×52cm
重量 30kg
反向擊穿電壓測試
VCBO 集電極 - 基較 (發射較開路)
VEBO 發射較 - 基較 (集電極開路)
VCEO 集電極 - 發射較 (基較開路)
VCER 集電極 - 發射較 (基較與發射較間電阻連接)
VCES 集電極 - 發射較 (基較與發射較短路)
各種特性曲線
VCE - IC 共發射較 (基較信號為變量)
IB - IC 共發射較
VBE - IB 共發射較
VBE - IO 共發射較

類型 電子測量 ** 上海新建 型號 QT2 新舊程度 8成新 設備所在地 深圳 設備生產產地 上海 產品數量 3