? ? ?RCA清洗法：依靠溶劑、酸、表面活性劑和水，在不破壞晶圓表面特征的情況下通過(guò)噴射、凈化、氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬離子污染。在每次使用化學(xué)品后都要在**純水（UPW）中徹底清洗。以下是常用清洗液及作用。

清洗流程的操作規(guī)范：

(1) 用丙酮(ACE)、異丙醇(IPA)、去離子(DI)水依次進(jìn)行超聲清洗**聲設(shè)備內(nèi)槽、燒杯、花籃、卡塞及樣品盒；

(2) 在二個(gè)超聲設(shè)備的內(nèi)槽分布倒入 2000 - 4000 ml的丙酮和異丙醇溶液，具體的溶液體積由內(nèi)槽的容積來(lái)定，**溶液水平面在花籃上平面以上；在一個(gè)燒杯中倒入2000 ml丙酮溶液；記錄溶液更換日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求規(guī)劃溶液的清洗次數(shù)；

(3) 將晶片用花籃盛放并將其置于丙酮的內(nèi)槽中，設(shè)置超聲的溫度60°C，并計(jì)時(shí)超聲清洗晶片10分鐘，洛陽(yáng)半導(dǎo)體清洗設(shè)備，用蓋將內(nèi)槽封閉，并記錄溶液累計(jì)使用片數(shù)；

(4) 將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；

(5) 將花籃置于異丙醇中，設(shè)置溶液溫度60°C，記時(shí)超聲清洗晶片10分鐘，半導(dǎo)體清洗設(shè)備，用蓋將內(nèi)槽封閉，河南半導(dǎo)體清洗設(shè)備，記錄溶液累計(jì)使用片數(shù)； ?(5) 將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；

(6) 將放有晶片的花籃置于已配制好的硫酸和雙氧水(共1200 ml，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，半導(dǎo)體清洗，計(jì)時(shí)10分鐘，并記錄溶液使用累計(jì)片數(shù)；保持溶液的溫度為90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入雙氧水溶液；

(7) 將放有晶片的花籃取出沖水5分鐘；

(8) 將晶片從花籃中取出，放置到特制的卡塞中，將放有晶片的卡塞置于兆聲波設(shè)備內(nèi)槽中，在60°C兆聲清洗10分鐘；?

(9) 將放有晶片的卡塞取出沖水10分鐘；?

(10) 將放有晶片的卡塞放入甩干機(jī)中，烘干。

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