? ? ?半導(dǎo)體清洗機(jī)濕式清洗制程中，主要應(yīng)用項(xiàng)目包含晶圓清洗與濕式蝕刻兩項(xiàng)。至于臟污的來(lái)源，不外乎設(shè)備本身材料產(chǎn)生、現(xiàn)場(chǎng)作業(yè)員或制程工程師人體自身與動(dòng)作的影響、化學(xué)材料或制程藥劑殘留或不純度的發(fā)生，晶片清洗設(shè)備，以及制程反應(yīng)產(chǎn)生物的結(jié)果，尤其是制程反應(yīng)產(chǎn)生物一項(xiàng)，酸清洗設(shè)備，更成為制程污染主要來(lái)源。

清洗常用的化學(xué)試劑

　　丙酮（ACE）：【用途】除去有機(jī)殘余物，有機(jī)顆粒；除去光刻膠。 異丙醇（IPA）：【用途】溶解丙酮，將有機(jī)殘余物溶解。 DI水：【用途】溶解異丙醇，帶走殘余物。 ? SPM: ?(H2SO4 : H2O2 : H2O）。

? ? ?特殊的電應(yīng)用和光應(yīng)用中有不斷增長(zhǎng)的提高性能的需求，清洗設(shè)備，這要求大大地改進(jìn)硅以外的許多半導(dǎo)體的制造技術(shù)。

? ? ?這些材料的例子包括鍺，因?yàn)樗?*Si的電子遷移率，晶圓清洗設(shè)備，有可能與高-k柵介質(zhì)集成；加工應(yīng)力溝道Si MOSFET所需的SiGe；以及碳化硅SiC，其帶隙很寬。除了較***的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體也越來(lái)越引起人們的興趣。

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