制備方法


	
		
			石墨烯的合成方法主要有兩種：機(jī)械方法和化學(xué)方法。機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和加熱SiC的方法 ； 化學(xué)方法是化學(xué)還原法與化學(xué)解離法。
		
	
	
		微機(jī)械分離法
	
	
		
			較普通的是微機(jī)械分離法，直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剪裁下來(lái)。2004年Novoselovt等用這種方法制備出了單層石墨烯，并可以在外界環(huán)境下穩(wěn)定存在。典型制備方法是用另外一種材料膨化或者引入缺陷的熱解石墨進(jìn)行摩擦，體相石墨的表面會(huì)產(chǎn)生絮片狀的晶體，在這些絮片狀的晶體中含有單層的石墨烯。但缺點(diǎn)是此法是利用摩擦石墨表面獲得的薄片來(lái)篩選出單層的石墨烯薄片，其尺寸不易控制，無(wú)法可靠地制造長(zhǎng)度足供應(yīng)用的石墨薄片樣本。
		
	

	取向附生法—晶膜生長(zhǎng)


	
		
			取向附生法是應(yīng)用生長(zhǎng)基質(zhì)原子構(gòu)造“種”出石墨烯，首先讓碳原子在 1150 ℃下滲入釕，然后冷卻，冷卻到850℃后,之前吸收的大量碳原子就會(huì)浮到釕外表，鏡片外形的單層的碳原子“ 孤島” 布滿(mǎn)了整個(gè)基質(zhì)外表，較終它們可長(zhǎng)成完好的一層石 墨烯。*一層掩蓋 80 %后，*二層開(kāi)端生長(zhǎng)。底層的石墨烯會(huì)與釕產(chǎn)生激烈的交互作用，而*二層后就簡(jiǎn)直與釕完整別離，只剩下弱電耦合，得到的單層石墨烯薄片表現(xiàn)令人稱(chēng)心。但采用這種辦法消費(fèi)的石墨烯薄片常常厚度不平均，且石墨烯和基質(zhì)之間的黏合會(huì)影 響碳層的特性。另外Peter W.Sutter 等運(yùn)用的基質(zhì)是稀有金屬釕。
		
	
大業(yè)炭素/錦州石墨烯/錦州石墨烯的應(yīng)用由錦州大業(yè)炭素制品有限公司(                                                                                          )提供。

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