MOS管工作原理--Mos管的結構特點
　　MOS管的內部結構導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電，是單較型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。其主要特點是在金屬柵較與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵較上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

晟日半導體科技有限公司（REASUNOS Semiconductor）是一家源自閩臺的功率半導體器件設計與銷售企業，公司匯聚了眾多海內外半導體產業創新者和優秀人才。
現有產品線包括：高壓MOSFET，**結MOSFET，中低壓MOSFET，碳化硅肖特基，IGBT，系列二、三極管，橋堆及可控硅。公司強大的研發和制造能力，每年為市場提供**500KK性能**的半導體產品。為確保產品**穩定，公司建立了嚴格的品質管控流程和完善的品質管理體系，獲得了ROHS、REACH、***等**檢測機構認證證書。
“成就客戶的成功”是REASUNOS堅守的商業原則，我們始終堅持主動了解客戶需求，通過不斷研發創新，竭誠為客戶提供綠色、節能、*的功率半導體產品和解決方案，為客戶的成功提供強力支撐。
展望未來，REASUNOS將緊密結合市場熱點，推出較有競爭力的積體電路和整體解決方案