研究人員表示，該晶體管門的長度僅為550納米，整個集成電路僅為一顆鹽粒那么大。而且，這種生產過程也可用于其他類型的石墨烯材料，包括將化學氣相淀積（CVD）石墨烯膜合成在金屬膜之上，也可用于光學光刻以改善成本和產能。

按照美國電氣與電子工程師學會（IEEE）出版的《IEEE波普》雜志的解釋，這塊集成電路是一個寬頻無線電頻率混頻器——無線電收音機的關鍵組件，該集成電路通過找出兩個輸入頻率的和與差來輸出新的無線電信號?？茖W家們表示，較i新的石墨烯集成電路混頻較多可達10G赫茲，而且其可以承受125攝氏度的高溫。

一、鎖定高功率應用 碳化硅開拓電力電子新疆域

? ? ?英飛凌(Infineon)工業電源控制事業處市場開發總監馬國偉指出，碳化硅具有較i佳的材料特性，紫外檢測器價格，可以顯著降低開關損耗，因此電源開關的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統的尺寸明顯縮小。

? ? ?在解決可靠度疑慮之后，碳化硅已經在大功率電源應用市場上打下灘頭堡。

? ? ?至于在轉換效率方面，相較于硅晶體管在單較(Unipolar)操作下無法支持高電壓，碳化硅即便是在高電壓條件下，一樣可以支持單較操作，因此其功率損失、轉換效率等指針性能的表現，也顯著優于硅組件。

? ? ?不過，碳化硅材料雖然在電力電子應用上有很多優勢，但其可靠性還是一大問題，因為4H-SiC在SiC-SiO2接口的缺陷密度很高，若采用平面DMOS結構，江蘇紫外檢測器，MOSFET信道中的電子散射效應會導致信道的電子遷移率下降，從而降低其性能表現。 要解決這個問題，當電流在順向傳輸狀態時，必須對組件施加更高的電壓，但如此一來氧化層會承受更大的壓力。

? ? ?也因為這個緣故，SiC雖然早在十多年前就開始研究，直到近年來發展出溝槽式(Trench) MOS結構，才使得SiC組件的可靠度問題獲得解決，進而促成各種商業應用出現。 其中，又以各種大功率應用較適合導入SiC組件，因為其所帶來的效益跟價值較為明顯。

? ? ?目前大功率電力設備多半仍以機械結構為主，因此造**昂，且產品相當笨重，更需要經常維修。 為了改良這些缺點，以電力電子為基礎的新一代大功率電力設備，遂應運而生。 而碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設備電子化**的功臣。

? ? ?以往電力電子組件通常無法在動輒數百伏特、甚至上千伏特的高壓條件下操作。 即便可以，效率也未必好，因此大功率電力設備只能采用以機械為主的設計。 但在碳化硅組件進入商業量產后，目前1，200伏特的高壓電應用也可用電力電子的架構來設計，紫外檢測器批發，未來英飛凌更有意推出支持1，700伏特的解決方案，以便滿足更大功率的電力電子應用需求。 事實上，大功率電源設備的電子化，是目前電源相關產業較熱門的話題。 許多采用傳統機械結構的電力設備，例如變壓器，都在考慮改用電力電子方案。

? ? ?此外，重型家電、電機驅動等應用領域的產品制造商，對碳化硅方案也很有興趣，未來商機可望逐漸發酵。 但這些應用跟電力電子的需求不同，未必能在很高的開關頻率下運作，因此英飛凌未來會針對家電、電機驅動等應用領域，開發出對應的解決方案。

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