冶金法生產太陽能多晶硅用定向凝固器及多晶硅生產方法

[簡介]： 多晶硅的擋板晶圓60置放在支撐塔20的非生產溝槽中，用于熱處理單晶硅晶圓。多晶硅較佳為隨機定向多晶硅ROPSi，優選通過使用隨機定向晶種例如CVD成長的硅而以Czochralski方法來成長。熱爐管10的全硅熱區可以包括...

擋板晶圓及其所用的隨機定向多晶硅

[簡介]： 本發明屬于多晶硅提純領域，具體涉及一種多晶硅定向凝固裝置，包括爐體，爐體內放置有石英坩堝，石英坩堝外壁由內向外依次環繞設置有石墨發熱體、保溫套筒和感應線圈，石英坩堝底部設置有與爐體底部通連的拉錠機構，保溫套筒...

從工業化發展來看，重心已由單晶向多晶方向發展，多晶小方錠加工，主要原因為；可供應太陽電池的頭尾料愈來愈少； 對太陽電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料；多晶硅的生產工藝不斷取得進展，多晶小方錠報價，全自動澆鑄爐每生產周期（50小時）可生產200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達到厘米級；由于近十年單晶硅工藝的研究與發展很快，其中工藝也被應用于多晶硅電池的生產，例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極，采用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微米，多晶小方錠，高度達到15微米以上，快速熱退火技術用于多晶硅的生產可大大縮短工藝時間，單片熱工序時間可在一分鐘之內完成，采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉換效率**過14%。據報道，在50～60微米多晶硅襯底上制作的電池效率**過16%。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘米多晶上效率**過17%，無機械刻槽在同樣面積上效率達到16%，采用埋柵結構，機械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達到15.8%。

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