硅化鎂法是用Mg2Si與NH C1在液氨中反應生成硅i烷。該法由于原料消耗量大，成本高，危險性大，而沒有推廣，目前只有日本Komatsu使用此法。現代硅i烷的制備采用歧化法，即以冶金級硅與SiC14為原料合成硅i烷，首先用SiCl4、Si和H2反應生成SiHCl3 ，然后SiHCl3 歧化反應生成SiH2Cl2，最后由SiH2Cl2 進行催化歧化反應生成SiH4 ，即：3SiCl4+ Si+ 2H2=4SiHCl3，2SiHC13= SiH2Cl2+ SiC14，3SiH2C12=SiH4+ 2SiHC13。由于上述每一步的轉換效率都比較低，所以物料需要多次循環，整個過程要反復加熱和冷卻，使得能耗比較高。制得的硅i烷經精餾提純后，通入類似西門子法固定床反應器，在800℃下進行熱分解，反應如下：SiH4= Si+ 2H2。硅i烷氣體為有毒易燃性氣體，多晶小方錠廠家，沸點低，反應設備要密閉，并應有防火、防凍、防爆等安全措施。硅i烷又以它特有的自燃、爆i炸性而著稱。硅i烷有非常寬的自發著火范圍和較強的燃燒能量，決定了它是一種高危險性的氣體。硅i烷應用和推廣在很大程度上因其高危特性而受到限制在涉及硅i烷的工程或實驗中，不當的設計、操作或管理均會造成嚴重的事故甚至災害。

然而，多晶小方錠報價，實踐表明，過分的畏懼和不當的防范并不能提供應用硅i烷的安全**。因此，七臺河多晶小方錠，如何安全而有效地利用硅i烷，一直是生產線和實驗室應該高度關注的問題。

生產規模與技術設備

（一）太陽能級多晶硅項目每期規模大于3000噸/年，半導體級多晶硅項目規模大于1000噸/年。

（二）多晶硅企業應積極采用符合本準入條件要求的**工藝技術和產污強度小、節能環保的工藝設備以及安全設施，主要工段、設備參數應能實現連續流程在線檢測。

資源回收利用及能耗編輯

（一）新建多晶硅項目生產占地面積小于6公頃/千噸。現有多晶硅項目應當厲行節約集約用地原則。

（二）太陽能級多晶硅還原電耗小于80千瓦時/千克，到2011年底前小于60千瓦時/千克。

（三）半導體級直拉用多晶硅還原電耗小于100千瓦時/千克，半導體級區熔用多晶硅還原電耗小于120千瓦時/千克。

（四）還原尾氣中四氯i化硅、氯i化氫、氫i氣回收利用率不低于98.5%、99%、99%。

（五）引導、支持多晶硅企業以多種方式實現多晶硅-電廠-化工聯營，多晶小方錠生產，支持節能環保太陽能級多晶硅技術研發，降低成本。

（六）到2011年底前，淘汰綜合電耗大于200千瓦時/千克的太陽能級多晶硅生產線。

（七）水資源實現綜合回收利用，水循環利用率≥95%。

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