陶瓷電容器失效原因：銀離子遷移的后果。離子遷移可嚴重破壞正電極表面銀層，引線焊點與電極表面銀層之間，間隔著具有半導體性質的氧化銀，使無介質電容器的等效串聯電阻增大，金屬部分損耗增加，電容器的損耗角正切值顯著上升。由于正電極有效面積減小，472M *石電容，電容器的電容量會因此而下降。表面絕緣電阻則因無機介質電容器兩電極間介質表面上存在氧化銀半導體而降低。銀離子遷移嚴重時，兩電極間搭起樹枝狀的銀橋，使電容器的絕緣電阻大幅度下降。

半導體陶瓷電容器：表面層陶瓷電容器是用BaTiO3等半導體陶瓷的表面上形成的很薄的絕緣層作為介質層，332M *石電容，而半導體陶瓷本身可視為電介質的串聯回路。表面層陶瓷電容器的絕緣性表面層厚度，*石電容，視形成方式和條件不同，波動于0.01～100μm之間。這樣既利用了鐵電陶瓷的很高的介電常數，又有效地減薄了介質層厚度，是制備微小型陶瓷電容器一個行之有效的方案。
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