規格
FET 類型	N 溝道
技術	MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）	150V
電流 - 連續漏較（Id）（25°C 時）	27.4A（Tc）
驅動電壓（較大 Rds On，較小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（較大值）	19 毫歐 @ 27.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（較大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵較電荷 （Qg）（較大值）	39nC @ 10V
Vgs（較大值）	±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（較大值）	2685pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（較大值）	33W（Tc）
工作溫度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型	通孔
封裝/外殼	TO-220-3 
FDPF190N15A
N-Channel PowerTrench? MOSFET
150V, 27.4A, 19mΩ
Features
 RDS(on) = 14.7mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 27.4A
 Low Gate Charge ( Typ. 30nC)
 Low Crss ( Typ. 56pF)
 Fast Switching
 ** Avalanche Tested
 Improved dv/dt Capability
 RoHS Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advance PowerTrench process that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
Application
 DC to DC Converters
 Synchronous Rectification for Server/Telecom PSU
 Battery Charger
AC motor drives and Uninterruptible Power Supplies
 Off-line UPS

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