SiC碳化硅一種新型陶瓷，由于高密度成形技術的發展，80年代開始，國外紛紛用它作高PV值的組對材料，是到

目前為止發現的較好的摩擦副材料，具備各種優良性能。重量輕，為WC的1／5，比強度高，摩擦系數小，硬度略

**硬質合金，HRA90~94，抗輻射性好，具有一定的自潤滑性，組對性好，化學穩定性、耐熱性、熱傳導性都

很優異。在500℃以下，幾乎耐所有的酸和堿，除振動沖擊大，或有顆粒介質場合外，幾乎所有的硬質合金都可

用它取代，價格略比WC便宜。

缺點：脆性材料，抗機械沖擊性稍差。

由于制造工藝不同，性能略有差異，目前主要有4種類型：

1、    反應燒結SiC（SiC＋Si 組成的致密燒結物）

 ［（α-SiC 粉＋石墨粉＋助熔劑）混和＋有機粘結劑］壓制成型，放入Si 粉坩鍋內，在真空爐加熱1600~1800 ℃，生成β-SiC。 這種SiC 由α-SiC、β-SiC、 游離硅組成，由于游離Si 和孔隙的存在，它不耐強堿和氧化性介質。

 優點：收縮率小，耐熱沖擊性好，成本低，適于批量生產。

2 、常壓燒結SiC

         采用**細SiC 粉（粒度在0.1~0.2μm）， 加適當的添加劑、粘結劑壓制成型，然后在2000~2200 ℃的溫度下燒結而成。適用于數量少，規格品種多的密封環。致密度高達97% 以上。 

3、熱壓燒結SiC

    粒度≤1μm的SiC粉，加上適當的添加劑，裝入石墨模具內，在2000~2100℃的熱壓爐內加壓（30~50MPa）制成。這是SiC中化學穩定性較好的一種。（因為在氧化氣氛下，表面生成了一種SiO2保護膜，耐腐蝕性較好。）質密度高達97%以上。

4、氣相滲透SiC（又叫硅化石墨）

       以石墨為基體，按較終產品形狀加工好后，導入Si源，采用化學氣相沉積法在1800~2200℃的高溫下反應生成。，滲透層厚度可達1.5mm，成SiC表層，表層還有10%的石墨，具有氣體不滲透性，C、Si之間無明顯的邊界層。這種SiC既具有碳石墨優點，又具有SiC特性，是一種很有前途的碳基復合材料。氣相滲透SiC與常壓燒結SiC組對，可用于高速場合，即使處于半干摩擦工況條件下也不易產生卡滯與擦傷。

波紋管機械密封：

去掉了補償環密封圈及其摩擦阻力，補償環密封圈改至彈簧座處，補償環追隨性提高，而且避免了補償環密封圈因軸串、振動所產生的磨損。
金屬波紋管用于高溫介質，聚四氟乙烯波紋管用于腐蝕性介質。

一般選擇一軟一硬的材料配對，軟環作窄環，如     YG6/M106K，只有介質含固體顆粒、易結晶、粘度高    時才選用硬對硬。

（2）盡量采用內裝、內流式結構，防止機械雜質進入密封

          端面，減少泄漏量。

（3）選導熱性良好材料作動環。

          以利散熱，降低端面溫度。

（4）環的壁厚不可太薄，以**整體強度、剛度，也利散   

          熱（導熱欠佳的材料，可薄一些）。

（5）動環和軸（軸套）間隙A11（0·4~0·6）以利補償

          靜環和軸（軸套）間隙1~3mm以免摩擦

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