由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測(cè)器。而探測(cè)器則會(huì)放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細(xì)的薄膜。GaN在1050℃開始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線衍射已經(jīng)指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類型的六方晶系。在氮?dú)饣蚝庵挟?dāng)溫度為1000℃時(shí)GaN會(huì)慢慢揮發(fā)，GaN在較高的溫度下是穩(wěn)定的，在1130℃時(shí)它的蒸氣壓比從焓和熵計(jì)算得到的數(shù)值低，這是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。GaN不被冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩(wěn)定的，但在加熱的情況下能溶于堿中氮化鈦（TiN）具有典型的NaCl型結(jié)構(gòu)，屬面心立方點(diǎn)陣，晶格常數(shù)a=0.4241nm，其中鈦原子位于面心立方的角**。TiN是非化學(xué)計(jì)量化合物，其穩(wěn)定的組成范圍為TiN0.37-TiN1.16，氮的含量可以在一定的范圍內(nèi)變化而不引起TiN結(jié)構(gòu)的變化。TiN粉末一般呈黃褐色，**細(xì)TiN粉末呈黑色，而TiN晶體呈金。TiN熔點(diǎn)為2950℃，密度為5.43-5.44g/cm3，莫氏硬度8-9，抗熱沖擊性好。TiN熔點(diǎn)比大多數(shù)過(guò)渡金屬氮化物的熔點(diǎn)高，而密度卻比大多數(shù)金屬氮化物低，因此是一種很有特色的耐熱材料。TiN的晶體結(jié)構(gòu)與TiC的晶體結(jié)構(gòu)相似，只是將其中的C原子置換成N原子新型電子器件GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著?MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數(shù)，是制作微波器件的優(yōu)先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV)?及藍(lán)寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。

公司是生產(chǎn)高**屬材料，蒸發(fā)鍍膜材料以及濺射材的應(yīng)用開發(fā)的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以擁有多名中技術(shù)人員和化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，具有很強(qiáng)的蒸發(fā)材料開發(fā)能力。公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多電子、太陽(yáng)能企業(yè)當(dāng)中，以較高的性價(jià)比，成功發(fā)替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，頗受用戶好。