IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙較型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。
電工電力電子元器件IGBT模塊的作用：
1、IGBT是一種功率晶體管，運用此種晶體設計之UPS可有效提升產品效能，使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產品壽命長等多種優點；
2、IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，它有陰極，陽極，和控制較，關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制較來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。

電工電力電子元器件IGBT模塊如何保管：
1、一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大，常溫的規定為5℃～35℃左右，常濕的規定為45%～75%左右，在冬天特別干燥的地區，需要加濕機加濕；
2、盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合；
3、在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方；
4、IGBT模塊在未投入生產時不要暴露放置，防止端子氧化情況的發生。

電工電力電子元器件IGBT模塊如何選型：
1、IGBT額定電壓的選擇
三相380V輸入電壓經過整流和濾波后，直流母線電壓的至大值：在開關工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求**直流母線電壓的兩倍，根據IGBT規格的電壓等級，選擇1200V電壓等級的IGBT；
2、IGBT額定電流的選擇
以30kW變頻器為例，負載電流約為79A，由于負載電氣啟動或加速時，電流過載，一般要求1分鐘的時間內，承受1.5倍的過流，擇至大負載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級的IGBT；
3、IGBT開關參數的選擇
變頻器的開關頻率一般小于10kHZ，而在實際工作的過程中，IGBT的通態損耗所占比重比較大，建議選擇低通態型IGBT。

由于電工電力電子元器件IGBT模塊為MOS結構，對于靜電要十分注意，因此，請注意下面幾點：
1、在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部份；
2、在用導電材料連接驅動端子的模塊時，在配線未布好之前，請先不要接上模塊；
3、盡量在底板良好接地的情況下操作；
4、當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸；
5、在焊接作業時，焊機與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產生，為了防止靜電的產生，請先將焊機處良好的接地狀態下；
6、裝部件的容器，請選用不帶靜電的容器。
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