氧化鎵開辟了我們用現有半導體無法實現的新可能性

工業氧化鋁是由鋁礬土（Al2O3·3H2O）和硬水鋁石制備的，對于純度要求高的Al2O3，一般用化學方法制備。Al2O3有許多同質異晶體，已知的有10多種，主要有3種晶型，即α-Al2O3、β-Al2O3、γ-Al2O3。其中結構不同性質也不同，在1300℃以上的高溫時幾乎完全轉化為α-Al2O3

二氧化鈦具有半導體的性能，它的電導率隨溫度的上升而迅速增加，而且對缺氧也非常敏感。例如，金紅石型二氧化鈦在20℃時還是電絕緣體，但加熱到420℃時，它的電導率增加了107倍。稍微減少氧含量，對它的電導率會有的影響，按化學組成的二氧化鈦（TiO2）電導率<10-10s/cm，而TiO1.9995的電導率則高達10-1s/cm。金紅石型二氧化鈦的介電常數和半導體性質對電子工業非常重要，該工業領域利用上述特性，生產陶瓷電容器等電子元器件

LOSFIA在日本成功地了使用實現常關MOSFET 的可能性 。這是一項具有開創性的工作，因為生產常關MOSFET一直被認為挑戰性。FLOSFIA計劃制造剛玉（corundum，一種晶體結構）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，從TO-220中的肖特基勢壘二極管（SBD）開始，然后是MOSFET。

公司是生產高**屬材料，蒸發鍍膜材料以及濺射材的應用開發的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以擁有多名中技術人員和化應用實驗室，具有很強的蒸發材料開發能力。公司先后研發的蒸發材料、濺射材系列產品廣泛應用到國內外眾多電子、太陽能企業當中，以較高的性價比，成功發替代了國外進口產品，頗受用戶好。