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LED發(fā)光二極管和led芯片的結(jié)構(gòu)組成 

　　1）、晶片的作用：晶片是LED  Lamp的主要組成物料，是發(fā)光的半導(dǎo)體材料。 

　　2）、晶片的組成：晶片是采用磷化鎵（GaP）、鎵鋁砷（GaAlAs）或砷化鎵（GaAs）、氮化鎵

（GaN）等材料組成，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)具有單向?qū)щ娦浴?

　　3）、晶片的結(jié)構(gòu)： 

　　焊單線正極性（P/N結(jié)構(gòu)）晶片，雙線晶片。晶片的尺寸單位：mil 
　　 
　　晶片的焊墊一般為金墊或鋁墊。其焊墊形狀有圓形、方形、十字形等。 

　　4）、晶片的發(fā)光顏色： 
　　 
　　晶片的發(fā)光顏色取決于波長，常見可見光的分類大致為：暗紅色（700nm）、深紅色（640-

660nm）、紅色（615-635nm）、琥珀色（600-610nm）、黃色（580-595nm）、黃綠色（565-575nm）

、*（500-540nm）、藍色（450-480nm）、紫色(380-430nm)。 

　　白光和粉紅光是一種光的混合效果。較常見的是由藍光+黃色熒光粉和藍光+紅色熒光粉混合而

成。 

　　5）、晶片的主要技術(shù)參數(shù)： 

　　A、晶片的伏安特性圖： 
　　B、順向電壓（VF）：施加在晶片兩端，使晶片正向?qū)ǖ碾妷?。此電壓與晶片本身和測試電流

存在相應(yīng)的關(guān)系。VF過大，會使晶片被擊穿。 
　　C、順向電流（IF）：晶片在施加一定電壓后，所產(chǎn)生的正向?qū)娏?。IF的大小，與順向電壓

的大小有關(guān)。晶片的工作電流在10-20mA左右。 
　　D、逆向電壓（VR）：施加在晶片上的反向電壓。 
　　E、逆向電流（IR）：是指晶片在施加反向電壓后，所產(chǎn)生的一個漏電流。此電流越小越好。因

為電流大了*造成晶片被反向擊穿。 
　　F、亮度（IV）：指光源的明亮程度。單位換算：1cd=1000mcd   
　　G、波長：反映晶片的發(fā)光顏色。不同波長的晶片其發(fā)光顏色也就不同

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