主要技術性能
●電容偏差:±10%，各相等分組電容的較大值與較小值之比不大于1.1.
●介質損耗角正切值tanδ (全膜介質)在額定電壓Un，20℃時：
A. Un≤1kV: tanδ≤0.0015。
B. Un >1kV:tanδ≤0.0012。
●絕緣強度: 端子與外殼間能承受1kV工頻試驗電壓1min。
●冷卻水進水溫度不**過30℃。
A. Qn≤1000kvar的電容器，水流量≥4L/min.
B. Qn≥1000kvar的電容器，水流量≥6L/min.
●長期運行過電壓(24h中不**過4h)不**過1.1Un。
●長期運行過電流(包括諧波電流)不**過1.35In。
●戶內安裝，海拔高度不**過1000m。
●安裝運行地區環境空氣溫度不**50℃。
●安裝場所無劇烈的機械振動,無有害氣體和蒸氣以及爆炸性塵埃。
●RWM及RFM型水冷式，全薄膜電熱電容器性能符合JB7110-93《電熱電容器》及IEC60110(1998)《頻率40-24000Hz 感應加熱裝置用電容器》標準。
用 途
主要用于額定電壓不大于3.6kV，頻率40到24000Hz的可控或可調的交流電力系統中專門用來改善感應加熱、熔化攪
拌或鑄造裝置，以及類似應用場合的功率因數。