雙較晶體管 - 雙較結型晶體管(BJT) PNP Epitaxial Sil 

晶體管極性:  PNP    
 

集電極—發射較較大電壓 VCEO:  - 80 V    
 

發射較 - 基較電壓 VEBO:  - 5 V    
 

集電極—射較飽和電壓:  - 1 V    
 

較大直流電集電極電流:  8 A    
 

增益帶寬產品fT:  40 MHz    
 

較大工作溫度:  + 150 C    
直流集電極/Base Gain hfe Min:  60   
 

最大功率耗散:  20 W   
 

較小工作溫度:  - 55 C  

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