JFY3021A晶體管參數(shù)測試儀詳細(xì)介紹
※概述:
JFY3021A晶體管參數(shù)測試儀，是一種專門用于各種電子元件參數(shù)測試的新型多功能測試裝置。該機(jī)采用大規(guī)模MCU設(shè)計(jì),中文界面操作,大容量內(nèi)存,可存2000種元件參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù).儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、操作簡單、使用*方便,適用電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家或電子元件供應(yīng)商來料檢測。
※             測量元件類型:
N型三極管,P型三極管,N型MOS場效應(yīng)管,P型MOS場效應(yīng)管N型結(jié)型場效應(yīng)管,正負(fù)三端穩(wěn)壓IC,三端肖特基,基準(zhǔn)器431,整流二極管.
※             測量參數(shù):
■ 整流二極管,三端肖特基:
參數(shù)項(xiàng)
測試參數(shù)
測試條件設(shè)置
正向壓降(VF)
0-2.000V
0-2.000A
耐壓(VRR)
0-1500V
0-2.000MA
 
■N型三極管:
參數(shù)項(xiàng)
測試參數(shù)
測試條件設(shè)置
輸入正向壓降(VBE)
0-2.000V
0-2.000A
耐壓(BVCEO)
0-1500V
0-2.000MA
放大倍數(shù)(HEF)
0-3000
VCE:0-20V IC:0-2.000A
飽和壓降(Vsat)
0-2.000V
IB:0-2.00A IC:0-2.00A
■P型三極管:
參數(shù)項(xiàng)
測試參數(shù)
測試條件設(shè)置
輸入正向壓降(VBE)
0-2.000V
0-2.000A
耐壓(BVCEO)
0-1500V
0-2.000MA
放大倍數(shù)(HEF)
0-3000
VCE:5.0V IB:100uA
飽和壓降(Vsat)
0-2.000V
IB:0-2.00A IC:0-2.00A
 
N,P型MOS場效應(yīng)管:
參數(shù)項(xiàng)
測試參數(shù)
測試條件設(shè)置
啟動(dòng)電壓(VGS(th))
0-20.00V
0-2.000mA
耐壓(BVCEO)
0-1500V
0-2.000mA
導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson)
1Mr-200R
Vgs:0-20V Id:0-2.000A
三端穩(wěn)壓IC:
參數(shù)項(xiàng)
測試參數(shù)
測試條件設(shè)置
輸出電壓(Vo)
0-20.00V
Vin:0-20V Io:0-2.00A
基準(zhǔn)IC 431:
參數(shù)項(xiàng)
測試參數(shù)
測試條件設(shè)置
輸出電壓(Vo)
0-20.00V
IZ:0-200mA
 

尺寸 : 300 X 300 X160（mm） ;
重量 : 4.2（kg） ;
型號(hào) : JFY3021A ;
** : 金飛儀 ;
類型 : 元件參數(shù)測試儀 ;
加工定制 : 否 ;

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