MDT10F676,(完全兼容PIC16F676,FLASH,內置EEPROM,多次擦寫,內置振蕩,10-bit A/D,PWM,CCP)
特性:
ROM:1K,腳位:14,PINI/O:12PIN,復位時間較快.2V,低電壓工作.低功耗,溫度范圍寬。
MDT10F676.pdf完全兼容PIC16F676,基于FLASH的14引腳8位CMOS單片機:
開發工具支持:
集成開發環境:M**B IDE
在線調試器:M**B ICD2+AC162052
在線仿真器:M**B ICE2000+PCM16YD0+DVA16XP141
編程器:M**B PM3,PICSTART
高性能RISC CPU:
o 只需學習35 條指令
- 除程序分支指令外,其余所有指令均為單周期指令。
o 工作速度:
- DC-20 MHz 振蕩器/ 時鐘輸入
- DC-200 ns 指令周期
o 中斷能力
o 8級深硬件堆棧
o 直接尋址,間接尋址,相對尋址等尋址模式
單片機性能特性:
o 可選擇內部和外部振蕩器
- 內部高精度4 MHz振蕩器,出廠時精度校準為±1%
- 可使用晶振和諧振器作為外部振蕩器
- 電壓典型值為 3.0V時, 從休眠模式喚醒只需5 μs
o 省電休眠模式
o 寬工作電壓范圍:2.0V 至 5.5V
o 工業級和擴展級溫度范圍
o 低功耗的上電復位(POR)
o 上電定時器(PWRT)和振蕩器起振定時器(OST)
o 欠壓檢測(BOD)
o 帶有獨立振蕩器的看門狗定時器(WDT)以**可靠運行
o 復用MCLR/ 輸入引腳
o 引腳電平變化可觸發中斷
o 獨立的可編程弱上拉功能
o 可編程代碼保護
o 高持久性的FLASH/EEPROM 單元
- FLASH可經受100,000 次寫操作
- EEPROM 可經受1,000,000 次寫操作
- FLASH/數據EEPROM的數據保存期**過40年
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