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1.概 念:
　　場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單較型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.
2.特 點:
 　　具有輸入電阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、*工作區域寬、熱穩定性好等優點,現已成為雙較型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.
3.作 用:
　　場效應管可應用于放大.由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.　　場效應管可以用作電子開關.　　場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源.
4.場效應管的分類:
　　 場效應管分結型、絕緣柵型(MOS)兩大類，按溝道材料:
      結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;
     按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的.
 　　場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類.
5.場效應管的主要參數:
　　Idss— 飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵較電壓UGS=0時的漏源電流.
 　　Up— 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵較電壓.
 　　Ut— 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵較電壓.
 　　gM— 跨導.是表示柵源電壓
     UGS— 對漏較電流ID的控制能力,即漏較電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.
     gM  — 是衡量場效應管放大能力的重要參數.
　　BVDS— 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的較大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓**小于BVDS.
　　P*— 較大耗散功率,也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于P*并留有一定余量.
I*— 較大漏源電流.是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的較大電流.場效應管的工作電流不應**過I*。

材料 : IGBT絕緣柵比較 ;
封裝外形 : SP/特殊外形 ;
用途 : MOS-FBM/全橋組件 ;
導電方式 : 耗盡型 ;
溝道類型 : N溝道 ;
種類 : 結型(JFET) ;
型號 : FF300R12KS4 ;
** : INFINEON/英飛凌 ;

深圳市華星半導體分銷部 是中國香港（華星）股份有限公司大陸辦事處，代理分銷IGBT模塊/單管、MOFSET/場效應管、肖特基/快恢復二極管、DSP、MCU、內存芯片 等電源電力器件，在消費者當中享有較高的地位，公司與多家電源產品制造工廠建立了長期穩定的合作關系。深圳市華星半導體分銷部經銷的IGBT模塊/單管、MOFSET/場效應管、肖特基/快恢復二極管、DSP、MCU 品種齊全、價格合理。深圳市華星半導體分銷部實力雄厚，重信用、守合同、**產品質量，以多品種經營特色和薄利多銷的原則，贏得了廣大客戶的信任。
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