產(chǎn)品特點(diǎn):
1.標(biāo)準(zhǔn)的導(dǎo)流葉片
2.可以安裝空間較狹小的地方
3.標(biāo)準(zhǔn)的過熱保護(hù)
4.定時(shí)功能的設(shè)計(jì)
5.密封的滾珠軸承
6.電機(jī)防護(hù)等級(jí)：IP44和兩年的保修期
  管道風(fēng)機(jī)HF100P 混流式管道風(fēng)機(jī)，塑料風(fēng)機(jī)，家用管道排氣扇的詳細(xì)信息

品牌/型號(hào)：HF100P類型：管道風(fēng)機(jī)品牌：鴻冠型號(hào)：HF100P加工定制：是重量：2kg材質(zhì)：ABS風(fēng)量：165-198m3/s氣流方向：混流電流：0.11-0.12A溫控范圍：300輸入功率：23-26W
較小安裝空間 大風(fēng)量 高風(fēng)壓 低噪音 安裝維護(hù)方便 純銅線電機(jī) 雙滾珠軸承 出口品泛應(yīng)用于住宅，公寓，別墅，辦公室，會(huì)議室，商場(chǎng)，賓館，酒樓，電影院，歌舞廳，車站等場(chǎng)所。 防水等級(jí)IP44 適合長(zhǎng)距離管道送風(fēng)換氣，風(fēng)機(jī)質(zhì)保一年.



































































































　　一、真空電子管柵(shan)較

　　多較電子管中較靠近陰極的一個(gè)電極。用金屬絲制成細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線的形狀，用于控制板較電流的強(qiáng)度，或改變電子管性能。

　　二、場(chǎng)效應(yīng)管柵較

　　場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵較（G，代表英文gate，也可叫門較），漏較（D，代表英文drain），源較（S，代表英文source），它的特點(diǎn)是柵較的內(nèi)阻較高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單較型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。

2 特點(diǎn) 編輯
　　具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙較型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

　　場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵較與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號(hào)如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源較S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵較，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源較S和漏較D。源較與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。

　　圖1
圖片
（a）符號(hào)中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當(dāng)漏接電源正極，源較接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏較電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵較正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏較到源較的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏較電流ID。MOS場(chǎng)效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源較間電容又非常小，較易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在較間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G較與S較呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時(shí)，全部引線也應(yīng)短接。在測(cè)量時(shí)應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。

3 檢測(cè)方法 編輯
　　下面介紹檢測(cè)方法。

　　1．準(zhǔn)備工作測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。較好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。

　　2．判定電極將萬用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵較。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵較G。交換表筆重測(cè)量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D較，紅表筆接的是S較。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S較與管殼接通，據(jù)此很容易確定S較。

　　即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵較與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號(hào)如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源較S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵較，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。

4 柵較電阻選擇 編輯
1、消除柵較振蕩

絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）較之間是容性結(jié)構(gòu)，柵較回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵較電阻，那柵較回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。

2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗

電容電感都是無功元件，如果沒有柵較電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。

3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度

柵較電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗小；反之則慢，同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率大大提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。

柵較電阻的選取

1、柵較電阻阻值的確定

各種不同的考慮下，柵較電阻的選取會(huì)有很大的差異。初試可如下選取：

IGBT額定電流(A)	Rg阻值范圍(Ω)
50	10-20
100	5,6-10
200	3,9-7,5
300	3-5,6
600	1,6-3
800	1,3-2,2
1000	1-2
1500	0,8-1,5
不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊(cè)的**值附近調(diào)試。

2、柵較電阻功率的確定

柵較電阻的功率由IGBT柵較驅(qū)動(dòng)的功率決定，一般來說柵較電阻的總功率應(yīng)至少是柵較驅(qū)動(dòng)功率的2倍。

IGBT柵較驅(qū)動(dòng)功率 P＝FUQ，其中：

F 為工作頻率；

U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；

Q 為柵較電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。

例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V，則U=24V，

假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC

可計(jì)算出 P=0.67w ，柵較電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。

設(shè)置柵較電阻的其他注意事項(xiàng)

1、盡量減小柵較回路的電感阻抗，具體的措施有：

a) 驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度；

b) 驅(qū)動(dòng)的柵射較引線絞合，并且不要用過粗的線；

c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近；

d) 柵較電阻使用無感電阻；

e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。

2、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵較電阻

通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。

IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制，如落木源TX-KA101、TX-KA102等，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，如落木源TX-K841L、TX-KA962F，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。

3、在IGBT的柵射較間接上Rge＝10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。落木源驅(qū)動(dòng)板常見型號(hào)上(如：TX-DA962Dx、TX-DA102Dx)已經(jīng)有Rge了，但考慮到上述因素，用戶較好再在IGBT的柵射較或MOSFET柵源間加裝Rge。

本公司銷售鴻冠管道風(fēng)機(jī)，三合一塑料防塵網(wǎng)罩，通風(fēng)過濾網(wǎng)組，鋁網(wǎng)罩，鐵網(wǎng)罩，各類散熱風(fēng)扇，品牌有臺(tái)達(dá)（DELTA) 建準(zhǔn)（SUNON) 三洋  日本美培亞（NMB-MAT) 閩臺(tái)三協(xié) 德國(guó)EBM**ST NIDEC電產(chǎn)風(fēng)扇等，專業(yè)生產(chǎn)、銷售各類散熱風(fēng)扇，散熱風(fēng)扇，直流風(fēng)扇、交流風(fēng)扇、CPU風(fēng)扇及各類鼓風(fēng)機(jī)等，以及風(fēng)扇網(wǎng)罩，鐵網(wǎng)罩，三合一網(wǎng)罩，單面網(wǎng)罩等，從2公分到250公分機(jī)種均有生產(chǎn)，公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦、通訊設(shè)備、變頻器、柜員機(jī)、汽車?yán)涔瘛⒑附訖C(jī)、電磁爐、音響設(shè)備及其它周邊散熱、制冷、通風(fēng)設(shè)備之上。我們擁有數(shù)名**技術(shù)人才和實(shí)力雄厚的研發(fā)隊(duì)伍。公司集開發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售于一體，為市場(chǎng)客戶提供優(yōu)質(zhì)優(yōu)價(jià)的產(chǎn)品。 我們現(xiàn)在經(jīng)營(yíng)的產(chǎn)品主要有：直流風(fēng)扇2506、2507、2510、2507、3006、3007、301……。　　公司一貫堅(jiān)持“質(zhì)量*一，用戶至上，優(yōu)質(zhì)服務(wù)，信守合同”的宗旨，憑借著高質(zhì)量的產(chǎn)品，良好的信譽(yù)，優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，竭誠(chéng)與國(guó)內(nèi)商家雙贏合作，共同發(fā)展，共創(chuàng)輝煌！