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    對單向可控硅來說，當柵較電壓達到門限值VGT且柵電流達到門限值IGT時，可控硅被觸發導通。當觸發電流的脈寬較窄時，則應提高觸發電平。當負載電流**過單向可控硅的閂電流IL時，即使此時的柵電流減為零，可控硅仍能維持導通狀態。為了**電路在環境相當低溫度情況下也能正常工作，則要求驅動電路能提供足夠高的電壓、電流及占
空比的控制信號。
    高靈敏度的單向可控硅，會在高溫下因陽－陰極間的漏電流而誤觸發，應確保不**過TJMAX。為了可靠地關斷單向可控硅，負載電流必須降到低于保持電流IH，并維持一定的時間。
    標準的雙向可控硅既可被柵較的正向電流觸發，也能被柵較的反向電流觸發，它可以在四個象限內導通。在負載電流為零時，相當好用反相的直流或單極性脈沖的（柵較）電流觸發。
    在通常的交流相位控制電路中，如電燈調光器和家用馬達調速器等，可控硅G與MT2的極性要一致，在設計可控硅時要避免在3＋區域內工作（MT2為－，G為＋）。

值得注意的是，雙向可控硅可能在一些意想不到的情況下觸發導通，其后果有些問題不大，而有些則有潛在的破壞性。

1.柵較上的噪聲電平
  在有電噪聲的環境中，如果柵較上的噪聲電壓**過VGT，并有足夠的柵電流激發可控硅內部的正反饋，則也會被觸發導通。應用安裝時，首先要使柵較外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。然后在G與MT1之間加一個1kΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯一個100nF的電容，來濾掉高頻噪聲。

2.關于轉換電壓變化率
  當驅動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化**過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅回到導通狀態。
  為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發。一般，電阻取100Ω，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。

3.關于轉換電流變化率

當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況相當易在感性負載的情況下發生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載
回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。

4.關于可控硅開路電壓變化率dVD／dt在處于截止狀態的雙向可控硅兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅導通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制dVD／dt，或可采用高速可控硅。

5.關于連續峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下，可控硅兩端的電壓會**過連續峰值開路電壓VDRM的相當大值，此時可控硅的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅上。

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