ＭＯＳＦＥＴ是一種單較型的電壓控制器件。現用Ｎ溝道 ＭＯＳＦＥＴ的模擬結構來說明其

工作原理，在柵較 （Ｇ）電壓為零時，器件的漏較 （Ｄ）與源較 （Ｓ）之間的ＰＮ結為反偏狀

態，ＭＯＳＦＥＴ處于截止狀態。如果在柵較加上正向電壓，同時漏較與源較之間也存在正向

電壓，柵較下面則開始形成耗盡區并出現負電荷，硅層表面由Ｐ型反型成為 Ｎ型。此時電

子從源較向漏較移動形成電流，器件導通。這個反型層被稱為溝道。根據溝道的不同，

ＭＯＳＦＥＴ可以分為Ｎ溝道和Ｐ溝道兩種。

ＳＰＷＭ輸出電壓的大小和頻率均由正弦參考電壓來控制，空壓機保養，當改變正弦電壓幅值時，脈

寬即隨之改變，從而改變輸出電壓的大小；當改變正弦電壓的頻率時，活塞空壓機，輸出電壓頻率即隨之

改變。但要注意正弦波的幅值必須小于三角波的幅值，否則就得不到脈寬與其對應正弦波下

的積分成正比這一關系，崇左空壓機，輸出電壓的大小和頻率就將失去所要求的配合關系。

圖１９只給出單相脈寬調制波形。對于三相變頻器，必須產生相位差１２０°的三相調制

波。載頻三角波三相可以共用，但必須有一個可變頻變幅的三相正弦波發生器，產生可變頻

變幅的三相正弦參考信號，然后分別比較產生三相輸出脈沖調制波。

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