SVD2N60M/F N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用平面VDMOS 工藝技術制造。**的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PMW馬達驅動。 ∗ 2A,600V,RDS(on)=4.6Ω@VGS=10V ∗ 低柵較電荷量 ∗ 低反向傳輸電容 ∗ 開關速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力 其它規格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60
注冊資金:人民幣 50.00 萬 注冊資金:人民幣 50.00 萬