1、視角

LED顯示屏的視角決定于LED燈珠的視角。目前戶外顯示屏大多選用水平視角100°;、垂直視角50°;的橢圓LED，戶內(nèi)顯示屏則選用水平垂直均為120°;的貼片LED。高速公路上的顯示屏由于其特殊性一般選用30°;視角的圓形LED就夠了。一些高樓上的顯示屏對垂直視角要求較高。視角與亮度互為矛盾，大視角必然會降低亮度。視角的選擇需要根據(jù)具體的用途來決定。

2、亮度

LED亮度是顯示屏亮度的重要決定因素。LED亮度越高，使用電流的余量越大，對節(jié)省耗電、保持LED穩(wěn)定有好處。LED有不同的角度值，在芯片亮度已定的情況下，角度越小，LED則越亮，但顯示屏的視角則越小。一般應選擇100度的LED以**顯示屏足夠的視角。針對不同點間距和不同視距的顯示屏，應在亮度、角度和價格上找到一個平衡點。

3、失效率

由于全彩顯示屏由上萬甚至幾十萬組紅、綠、藍三種LED組成的像素點組成，任一顏色LED的失效均會影響顯示屏整體視覺效果。一般來說，按行業(yè)經(jīng)驗，在LED顯示屏開始裝配至老化72小時出貨前的失效率應不**萬分之三(指LED燈珠本身原因引起的失效)。

4、抗靜電能力

LED是半導體器件，對靜電敏感，較易引致靜電失效，戶外廣告投影燈價格，故抗靜電能力對顯示屏的壽命至關重要。一般來說，LED的人體靜電模式測試失效電壓不應低于2000V。

5、壽命

LED器件的理論壽命為10萬小時，遠大于LED顯示屏其它部件的工作壽命，故只要LED器件品質(zhì)**、工作電流合適、PCB散熱設計合理、顯示屏生產(chǎn)工藝嚴謹，LED器件將是顯示屏整機中較耐用的部件之一。

LED器件占LED顯示屏價格比重的70%，所以說LED器件可以決定LED顯示屏質(zhì)量的優(yōu)劣。我國即是LED器件的生產(chǎn)大國，也是LED顯示屏制做的聚集地。LED顯示屏的高技術要求是未來的發(fā)展趨勢，LED顯示屏的高質(zhì)量要求，不僅僅關于LED顯示屏廠商的走向，也牽連的LED顯屏器件廠家的發(fā)展。從LED器件把關，促進中國由LED顯示屏制造大國向LED顯示屏制造強國的轉變。

6、衰減特性

LED顯示屏長時間工作后會出現(xiàn)亮度下降和顯示屏顏色不一致的現(xiàn)象，主要是由于LED器件的亮度衰減造成的。LED亮度的衰減會造成顯示屏整屏亮度降低。紅、綠、藍LED亮度衰減幅度的不一致會造成LED顯示屏顏色的不一致，就是我們常說的顯示屏花了的現(xiàn)象。高品質(zhì)的LED器件能夠很好地控制亮度衰減幅度。按1000小時常溫點亮20mA標準，紅色衰減應小于2%，藍、綠色衰減應小于10%，故藍、綠色LED在顯示屏設計時盡量不要用到20mA電流，只用70%至80%的額定電流。

衰減特性除與紅、綠、藍LED本身特性相關外，使用電流、PCB板散熱設計、顯示屏使用環(huán)境溫度等均對衰減造成影響。

7、尺寸

LED器件的尺寸影響LED顯示屏的像素點距離，即分辨率。5mm的橢圓燈主要用于P16以上的戶外顯示屏，3mm的橢圓燈主要用于P12.5、P12、P10的戶外顯示屏，3528型貼片LED主要用于P6、P8的戶內(nèi)顯示屏，廣告投影燈報價，2020型貼片LED主要用于P3等室內(nèi)顯示屏。在點間距不變的前提下，LED器件尺寸增大，能夠增加顯示面積，減少顆粒感，不過由于黑區(qū)面積減少，會降低對比度;相反，LED尺寸減小，減少了顯示面積，顆粒感增多，黑區(qū)面積增大，增加了對比度。

8、一致性

全彩顯示屏是由無數(shù)個紅、綠、藍LED組成的像素拼成的，每種顏色LED的亮度、波長的一致性決定了整個顯示屏的亮度一致性、白平衡一致性、色度一致性。一般來說，顯示屏廠家要求器件供應商提供5nm的波長范圍及1：1.3的亮度范圍的LED，這些指標可由器件供應商通過分光分色機進行分級達到。電壓的一致性一般不做要求。

由于LED是有角度的，故全彩LED顯示屏同樣具有角度方向性，即在不同角度觀看時，其亮度是會遞增或遞減的。這樣，紅、綠、藍三種顏色LED的角度一致性將嚴重影響不同角度白平衡的一致性，鄭州廣告投影燈，直接影響顯示屏視頻顏色的保真度。要做到紅、綠、藍三種LED在不同角度時亮度變化的匹配一致性，需要在封裝透鏡設計、原物料選擇上嚴格進行科學設計，這取決于封裝供應商的技術水平。法向方向白平衡再好的顯示屏，廣告投影燈 燈片，如果LED的角度一致性不好，整屏不同角度的白平衡效果將是糟糕的。LED燈珠的角度一致性特性可用LED角度綜合測試儀測出，對于中、顯示屏尤為重要。

LED芯片的制造流程是怎樣的？

　　LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10？4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根據(jù)半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。

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